Транзистори - біполярні (BJT) - одинарні, попередн

DDTC143XE-7

частина: 197990

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

До побажання

DDTA123TKA-7-F

частина: 1915

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

До побажання

DDTA144TKA-7-F

частина: 1944

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

До побажання

DDTD123YU-7-F

частина: 159098

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V,

До побажання

DDTA123ECA-7-F

частина: 167434

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 2.2 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V,

До побажання

DDTC124GKA-7-F

частина: 1901

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа випромінювача (R2): 22 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

До побажання

DDTD142JU-7-F

частина: 100187

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 470 Ohms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V,

До побажання

DDTC142JE-7-F

частина: 125307

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 470 Ohms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V,

До побажання

DDTC143XKA-7-F

частина: 1911

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

До побажання

SMUN2230T1G

частина: 178747

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 1 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 1 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

До побажання

FJV3115RMTF

частина: 170458

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V,

До побажання

NSBC143EF3T5G

частина: 150999

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 4.7 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

До побажання

NSBC114TF3T5G

частина: 143954

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

До побажання

PDTC123ES,126

частина: 1997

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 2.2 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

До побажання

PDTB113ES,126

частина: 1965

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 1 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 1 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V,

До побажання

PDTC124ES,126

частина: 1970

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 22 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

До побажання

PDTA114TE,115

частина: 1980

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

До побажання

DTC143XCAHZGT116

частина: 16286

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased + Diode, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

До побажання

DTC015EEBTL

частина: 107532

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 100 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 100 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

До побажання

DTB114GKT146

частина: 168234

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V,

До побажання

DTC143XUAT106

частина: 114463

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

До побажання

DTA143ZKAT146

частина: 123299

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

До побажання

DTC144VKAT146

частина: 164888

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V,

До побажання

UNR321000L

частина: 108084

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

До побажання

UNR511600L

частина: 122493

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

До побажання

UNR9219G0L

частина: 136285

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 1 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

До побажання

UNR911BG0L

частина: 2166

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 100 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

До побажання

UNR92A8G0L

частина: 1977

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 80mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 510 Ohms, Резистор - основа випромінювача (R2): 5.1 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V,

До побажання

UNR9112G0L

частина: 1944

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 22 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

До побажання

UNR511VG0L

частина: 1962

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 2.2 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 6 @ 5mA, 10V,

До побажання

UNR9110G0L

частина: 141689

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

До побажання

RN2315TE85LF

частина: 100188

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

До побажання

RN1112ACT(TPL3)

частина: 1954

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 80mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

До побажання

RN2101ACT(TPL3)

частина: 1987

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 80mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 4.7 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

До побажання