Транзистори - біполярні (BJT) - одинарні, попередн

UNR521V00L

частина: 163517

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 2.2 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 6 @ 6mA, 10V,

До побажання

UNR5218G0L

частина: 1951

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 510 Ohms, Резистор - основа випромінювача (R2): 5.1 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V,

До побажання

UNR222300L

частина: 178264

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 10V,

До побажання

UNR521FG0L

частина: 1929

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

До побажання

DRA2143T0L

частина: 110353

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

До побажання

UNR921NJ0L

частина: 178920

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

До побажання

DDTC123YUA-7-F

частина: 159285

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V,

До побажання

DDTC125TUA-7

частина: 1998

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 200 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

До побажання

DDTA143TCA-7-F

частина: 193592

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

До побажання

DDTC115GKA-7-F

частина: 1869

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа випромінювача (R2): 100 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V,

До побажання

DDTC123TE-7-F

частина: 168395

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

До побажання

DDTA143FKA-7-F

частина: 1937

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 22 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 68 @ 10mA, 5V,

До побажання

DDTA113ZKA-7-F

частина: 1903

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 1 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V,

До побажання

DDTC144WKA-7-F

частина: 1955

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 22 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

До побажання

DDTC144TUA-7

частина: 2097

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

До побажання

DDTA143XUA-7

частина: 2121

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

До побажання

DTC123ECAHZGT116

частина: 24337

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased + Diode, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 2.2 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V,

До побажання

DTA114TUAT106

частина: 183739

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

До побажання

DTC123TKAT146

частина: 158912

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

До побажання

DTA143EEBHZGTL

частина: 9929

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 4.7 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

До побажання

DTC343TKT146

частина: 107675

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 15V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V,

До побажання

RN2107ACT(TPL3)

частина: 2063

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 80mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

До побажання

RN1441ATE85LF

частина: 176769

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 300mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 20V, Резистор - основа (R1): 5.6 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V,

До побажання

RN2108CT(TPL3)

частина: 2026

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 20V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

До побажання

RN1101ACT(TPL3)

частина: 1962

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 80mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 4.7 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

До побажання

RN1102MFV,L3F

частина: 120698

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

До побажання

RN1414,LF

частина: 112225

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 1 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

До побажання

RN2313(TE85L,F)

частина: 163677

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

До побажання

ON Semiconductor

NSBA143ZF3T5G

частина: 157289

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

До побажання

ON Semiconductor

FJX4001RTF

частина: 1966

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 4.7 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V,

До побажання

Nexperia USA Inc.

PDTA123ET,215

частина: 106175

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 2.2 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

До побажання

PDTB123TS,126

частина: 3227

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V,

До побажання

PDTC143EK,115

частина: 1932

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 4.7 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

До побажання

PDTA143EK,115

частина: 2057

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 4.7 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

До побажання