Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Діоди - Випрямлячі - Масиви

MBRD660CTG
ON Semiconductor

MBRD660CTG

частина: 81424

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 60V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 3A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 700mV @ 3A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
NRVHP820MFDT3G
ON Semiconductor

NRVHP820MFDT3G

частина: 69

Конфігурація діодів: 2 Independent, Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 4A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.05V @ 8A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
MBRT300200R
GeneSiC Semiconductor

MBRT300200R

частина: 1564

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 150A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 920mV @ 150A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
MBR400150CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR400150CTR

частина: 1548

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 150V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 200A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 880mV @ 200A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
MBRT300150R
GeneSiC Semiconductor

MBRT300150R

частина: 1563

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 150V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 150A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 880mV @ 150A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
MBR200100CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR200100CTR

частина: 1533

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 100V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 200A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 840mV @ 100A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
MBR40080CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR40080CTR

частина: 1212

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 80V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 400A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 840mV @ 200A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
MBR20060CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR20060CTR

частина: 1519

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 60V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 200A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 750mV @ 100A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
MBR2X050A045
GeneSiC Semiconductor

MBR2X050A045

частина: 3870

Конфігурація діодів: 2 Independent, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 45V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 50A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 700mV @ 50A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
MBRT40045R
GeneSiC Semiconductor

MBRT40045R

частина: 1156

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 45V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 400A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 750mV @ 200A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
MBR2X100A200
GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A200

частина: 3030

Конфігурація діодів: 2 Independent, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 100A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 920mV @ 100A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
MBR200150CT
GeneSiC Semiconductor

MBR200150CT

частина: 1552

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 150V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 100A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 880mV @ 100A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
MURT20020
GeneSiC Semiconductor

MURT20020

частина: 1213

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 200A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 100A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
MBR600100CT
GeneSiC Semiconductor

MBR600100CT

частина: 972

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 100V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 300A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 880mV @ 300A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
MSRT200140(A)D
GeneSiC Semiconductor

MSRT200140(A)D

частина: 1324

Конфігурація діодів: 1 Pair Series Connection, Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1400V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 200A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 200A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

До побажання
MBR500100CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR500100CTR

частина: 1192

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Schottky, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 100V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 500A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 880mV @ 250A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
MBR2X100A120
GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A120

частина: 3096

Конфігурація діодів: 2 Independent, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 120V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 100A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 880mV @ 100A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
MBRT12035
GeneSiC Semiconductor

MBRT12035

частина: 1844

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 35V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 120A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 750mV @ 60A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
MUR30060CT
GeneSiC Semiconductor

MUR30060CT

частина: 1342

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 300A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 100A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
MBR12030CT
GeneSiC Semiconductor

MBR12030CT

частина: 1491

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 30V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 120A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 650mV @ 60A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
FST160150
GeneSiC Semiconductor

FST160150

частина: 1636

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 150V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 80A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 880mV @ 80A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
V30DM120CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V30DM120CHM3/I

частина: 100592

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 120V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 15A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 970mV @ 15A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
VT2060C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VT2060C-M3/4W

частина: 109388

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 60V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 10A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 650mV @ 10A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
VT3060G-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VT3060G-E3/4W

частина: 128134

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 60V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 15A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 730mV @ 15A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
VFT2045CBP-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT2045CBP-M3/4W

частина: 102836

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 45V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 10A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 580mV @ 10A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
VIT4060C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT4060C-M3/4W

частина: 67167

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 60V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 20A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 620mV @ 20A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
V40PW60C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V40PW60C-M3/I

частина: 116952

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 60V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 20A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 680mV @ 20A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
VFT3060G-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT3060G-M3/4W

частина: 121490

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 60V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 15A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 730mV @ 15A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
VIT6045C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT6045C-M3/4W

частина: 47709

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 45V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 30A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 640mV @ 30A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
V20M120M-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

V20M120M-E3/4W

частина: 159782

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 120V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 10A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.01V @ 10A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
V40120C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

V40120C-M3/4W

частина: 58911

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 120V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 20A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 880mV @ 20A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
V20202G-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

V20202G-M3/4W

частина: 40301

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 10A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 920mV @ 10A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
MBR1090CT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR1090CT-E3/4W

частина: 120106

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 90V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 5A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 850mV @ 5A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
UGF2006GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF2006GHC0G

частина: 157

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 20A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.25V @ 10A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
MBR20200CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR20200CTHC0G

частина: 152

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 20A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.23V @ 20A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
GHXS010A060S-D3
Global Power Technologies Group

GHXS010A060S-D3

частина: 3747

Конфігурація діодів: 2 Independent, Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 10A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 10A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання