Діоди - Випрямлячі - Масиви | Дискретні напівпровідникові вироби | 100

MBRT60040R

частина: 959

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 40V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 600A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 750mV @ 300A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання

GeneSiC Semiconductor

MSRTA200160(A)D

частина: 1239

Конфігурація діодів: 1 Pair Series Connection, Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1600V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 200A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 200A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

До побажання

GeneSiC Semiconductor

MBRT50040R

частина: 1084

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 40V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 500A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 750mV @ 250A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання

GeneSiC Semiconductor

FST12080

частина: 1525

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 80V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 120A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 840mV @ 120A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання

GeneSiC Semiconductor

MBRT50060R

частина: 1065

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 60V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 500A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 800mV @ 250A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання

GeneSiC Semiconductor

MBRT50035R

частина: 1133

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 35V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 500A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 750mV @ 250A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання

GeneSiC Semiconductor

MBR200200CTR

частина: 1485

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 100A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 920mV @ 100A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання

GeneSiC Semiconductor

MURT30040

частина: 1082

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 300A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.35V @ 150A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання

GeneSiC Semiconductor

MBRT50035

частина: 1091

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 35V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 500A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 750mV @ 250A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання

GeneSiC Semiconductor

MURT10040

частина: 1273

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 100A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.35V @ 50A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання

GeneSiC Semiconductor

MURTA60060R

частина: 985

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 600A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 300A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання

GeneSiC Semiconductor

MBRT40045

частина: 992

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 45V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 400A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 750mV @ 200A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання

GeneSiC Semiconductor

MBR2X060A200

частина: 3422

Конфігурація діодів: 2 Independent, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 60A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 920mV @ 60A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання

GeneSiC Semiconductor

FST12030

частина: 1597

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 30V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 120A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 650mV @ 120A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання

GeneSiC Semiconductor

FST12040

частина: 1554

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 40V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 120A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 650mV @ 120A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT1080C-E3/4W

частина: 148724

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 80V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 5A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 720mV @ 5A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT1080C-M3/4W

частина: 142397

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 80V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 5A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 720mV @ 5A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання

Vishay Semiconductor Diodes Division

V40DM120CHM3/I

частина: 72988

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 120V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 20A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 890mV @ 20A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT1060C-M3/4W

частина: 152283

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 60V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 5A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 700mV @ 5A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT3045CBP-M3/4W

частина: 65447

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 45V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 15A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 570mV @ 15A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT4045C-M3/4W

частина: 56553

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 45V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 20A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 580mV @ 20A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання

Vishay Semiconductor Diodes Division

VT2080C-M3/4W

частина: 115587

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 80V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 10A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 810mV @ 10A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT3060C-M3/4W

частина: 103984

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 60V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 15A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 700mV @ 15A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання

Vishay Semiconductor Diodes Division

VF40100C-M3/4W

частина: 73453

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 100V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 20A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 730mV @ 20A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT3045C-M3/4W

частина: 76935

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 45V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 15A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 570mV @ 15A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання

SMC Diode Solutions

SBR10200CT

частина: 179092

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 980mV @ 5A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання

Infineon Technologies

DD710N16KHPSA2

частина: 124

Конфігурація діодів: 1 Pair Series Connection, Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1600V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 710A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.31V @ 2500A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

До побажання

Infineon Technologies

DD540N22KHPSA2

частина: 104

Конфігурація діодів: 1 Pair Series Connection, Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 2200V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 540A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.48V @ 1700A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

До побажання

Infineon Technologies

DD171N16KHPSA1

частина: 113

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1600V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 171A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.26V @ 500A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

До побажання

Infineon Technologies

DD260N12KHPSA1

частина: 137

Конфігурація діодів: 1 Pair Series Connection, Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1200V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 260A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.32V @ 800A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

До побажання

Global Power Technologies Group

GHXS015A120S-D3

частина: 1918

Конфігурація діодів: 2 Independent, Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1200V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 15A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 15A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання

Nexperia USA Inc.

PMEG6002TV,115

частина: 116897

Конфігурація діодів: 2 Independent, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 60V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 200mA (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 600mV @ 200mA, Швидкість: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

До побажання

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS10100CTHMNG

частина: 164

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 100V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 10A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 950mV @ 10A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання

ON Semiconductor

NRVBB20100CTT4G

частина: 51931

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 100V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 10A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 850mV @ 10A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання

ON Semiconductor

SBAT54ALT3G

частина: 190167

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 30V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 200mA (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 800mV @ 100mA, Швидкість: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

До побажання

Diodes Incorporated

MBRF10150CT-JT

частина: 122752

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 150V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 5A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 890mV @ 5A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання