Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.17GHz, Посилення: 18dB, Напруга - тест: 30V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.99GHz, Посилення: 18dB, Напруга - тест: 30V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.99GHz, Посилення: 19dB, Напруга - тест: 28V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.5GHz, Посилення: 16.5dB, Напруга - тест: 30V, Поточний рейтинг: 10µA,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 894MHz, Посилення: 18dB, Напруга - тест: 30V, Поточний рейтинг: 10µA,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 960MHz, Посилення: 18.5dB, Напруга - тест: 30V, Поточний рейтинг: 10µA,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.14GHz, Посилення: 16.5dB, Напруга - тест: 30V, Поточний рейтинг: 10µA,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.88GHz, Посилення: 16.5dB, Напруга - тест: 28V, Поточний рейтинг: 1µA,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 465MHz, Посилення: 21dB, Напруга - тест: 28V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 857MHz ~ 863MHz, Посилення: 20.4dB, Напруга - тест: 32V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.81GHz ~ 1.88GHz, Посилення: 14dB, Напруга - тест: 26V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 3.4GHz ~ 3.6GHz, Посилення: 14dB, Напруга - тест: 30V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 880MHz, Посилення: 16.5dB, Напруга - тест: 26V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.93GHz ~ 1.99GHz, Посилення: 16dB, Напруга - тест: 28V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 880MHz, Посилення: 21.2dB, Напруга - тест: 28V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.11GHz ~ 2.17GHz, Посилення: 16dB, Напруга - тест: 28V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.62GHz, Посилення: 16dB, Напруга - тест: 28V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 860MHz, Посилення: 18.2dB, Напруга - тест: 32V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.17GHz, Посилення: 17.3dB, Напруга - тест: 28V,
Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 1.81GHz, Посилення: 17.9dB, Напруга - тест: 30V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.93GHz ~ 1.99GHz, Посилення: 13dB, Напруга - тест: 26V,
Транзисторний тип: pHEMT FET, Частота: 3.55GHz, Посилення: 10dB, Напруга - тест: 12V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.16GHz ~ 2.17GHz, Посилення: 15dB, Напруга - тест: 28V,
Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 2.03GHz, Посилення: 18.2dB, Напруга - тест: 32V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 945MHz, Посилення: 17dB, Напруга - тест: 26V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.81GHz, Посилення: 18.2dB, Напруга - тест: 28V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.11GHz ~ 2.17GHz, Посилення: 15.9dB, Напруга - тест: 28V,
Транзисторний тип: HEMT, Частота: 2.7GHz ~ 3.1GHz, Посилення: 11.2dB, Напруга - тест: 50V, Поточний рейтинг: 1.5A,
Транзисторний тип: HEMT, Частота: 30MHz ~ 3.5GHz, Посилення: 17.5dB, Напруга - тест: 50V,
Транзисторний тип: HEMT, Частота: 2.5GHz, Посилення: 12dB, Напруга - тест: 28V, Поточний рейтинг: 3A,
Транзисторний тип: HEMT, Частота: 1.2GHz ~ 1.4GHz, Посилення: 17.6dB, Напруга - тест: 50V, Поточний рейтинг: 9A,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 960MHz, Посилення: 15dB, Напруга - тест: 28V, Поточний рейтинг: 250mA,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 500MHz, Посилення: 11.5dB, Напруга - тест: 7.5V, Поточний рейтинг: 5A,
Транзисторний тип: N-Channel, Частота: 400MHz, Посилення: 16dB, Напруга - тест: 28V, Поточний рейтинг: 900mA,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 900MHz, Посилення: 15dB, Напруга - тест: 7.5V, Поточний рейтинг: 3A,
