Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 765MHz, Посилення: 19dB, Напруга - тест: 30V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.96GHz, Посилення: 17dB, Напруга - тест: 30V, Поточний рейтинг: 10µA,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.14GHz, Посилення: 15.8dB, Напруга - тест: 30V, Поточний рейтинг: 10µA,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 894MHz, Посилення: 18dB, Напруга - тест: 30V, Поточний рейтинг: 10µA,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.88GHz, Посилення: 16.5dB, Напруга - тест: 28V, Поточний рейтинг: 1µA,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.93GHz, Посилення: 16.5dB, Напруга - тест: 28V,
Транзисторний тип: N-Channel, Частота: 1.88GHz,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 880MHz, Посилення: 21.2dB, Напруга - тест: 28V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 465MHz, Посилення: 23dB, Напруга - тест: 28V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.99GHz, Посилення: 20dB, Напруга - тест: 28V,
Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 450MHz, Посилення: 20dB, Напруга - тест: 50V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.81GHz, Посилення: 17.5dB, Напруга - тест: 28V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.93GHz ~ 1.99GHz, Посилення: 13dB, Напруга - тест: 28V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.16GHz, Посилення: 14dB, Напруга - тест: 28V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.14GHz, Посилення: 13dB, Напруга - тест: 28V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.93GHz ~ 1.99GHz, Посилення: 14dB, Напруга - тест: 28V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.39GHz, Посилення: 15.2dB, Напруга - тест: 28V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.99GHz, Посилення: 14.5dB, Напруга - тест: 28V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.03GHz, Посилення: 20.3dB, Напруга - тест: 50V,
Транзисторний тип: pHEMT FET, Частота: 3.55GHz, Посилення: 10dB, Напруга - тест: 6V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.93GHz ~ 1.99GHz, Посилення: 16dB, Напруга - тест: 28V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.17GHz, Посилення: 16dB, Напруга - тест: 28V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.16GHz ~ 2.17GHz, Посилення: 13.5dB, Напруга - тест: 28V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 880MHz, Посилення: 17.8dB, Напруга - тест: 26V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.39GHz, Посилення: 14dB, Напруга - тест: 28V,
Транзисторний тип: N-Channel JFET, Поточний рейтинг: 15mA,
Транзисторний тип: N-Channel JFET, Поточний рейтинг: 20mA,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 945MHz, Посилення: 14.5dB, Напруга - тест: 28V, Поточний рейтинг: 5A,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 945MHz, Посилення: 15dB, Напруга - тест: 28V, Поточний рейтинг: 1A,
Транзисторний тип: N-Channel, Частота: 175MHz, Посилення: 16dB, Напруга - тест: 50V, Поточний рейтинг: 40A,
Транзисторний тип: N-Channel, Частота: 175MHz, Посилення: 16dB, Напруга - тест: 50V, Поточний рейтинг: 100µA,
Транзисторний тип: HEMT, Частота: 960MHz ~ 1.215GHz, Посилення: 18.9dB, Напруга - тест: 50V, Поточний рейтинг: 4A,
