Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 945MHz, Посилення: 14.7dB, Напруга - тест: 28V, Поточний рейтинг: 7A,
Транзисторний тип: N-Channel, Частота: 30MHz, Посилення: 23.5dB, Напруга - тест: 50V, Поточний рейтинг: 40A,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 945MHz, Посилення: 16dB, Напруга - тест: 28V, Поточний рейтинг: 12A,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2GHz, Посилення: 11dB, Напруга - тест: 13.6V, Поточний рейтинг: 5A,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 945MHz, Посилення: 14.3dB, Напруга - тест: 28V, Поточний рейтинг: 7A,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 920MHz ~ 960MHz, Посилення: 17dB, Напруга - тест: 30V, Поточний рейтинг: 10µA,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.84GHz, Посилення: 16.5dB, Напруга - тест: 28V, Поточний рейтинг: 10µA,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.5GHz, Посилення: 18dB, Напруга - тест: 28V, Поточний рейтинг: 1µA,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.81GHz, Посилення: 17.5dB, Напруга - тест: 28V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.99GHz, Посилення: 16.1dB, Напруга - тест: 28V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 880MHz, Посилення: 17.8dB, Напруга - тест: 26V,
Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 450MHz, Посилення: 20dB, Напруга - тест: 50V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 465MHz, Посилення: 23dB, Напруга - тест: 28V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.12GHz, Посилення: 15.5dB, Напруга - тест: 28V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 960MHz, Посилення: 17.5dB, Напруга - тест: 26V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.93GHz, Посилення: 16.5dB, Напруга - тест: 28V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 857MHz ~ 863MHz, Посилення: 20.2dB, Напруга - тест: 32V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 857MHz ~ 863MHz, Посилення: 17dB, Напруга - тест: 32V, Поточний рейтинг: 17A,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.11GHz, Посилення: 14.5dB, Напруга - тест: 28V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 175MHz, Посилення: 14.5dB, Напруга - тест: 12.5V, Поточний рейтинг: 12A,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 465MHz, Посилення: 21dB, Напруга - тест: 28V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.17GHz, Посилення: 18.3dB, Напруга - тест: 28V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 857MHz ~ 863MHz, Посилення: 17.3dB, Напруга - тест: 32V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 880MHz, Посилення: 19.2dB, Напруга - тест: 28V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 3.1GHz ~ 3.5GHz, Посилення: 16dB, Напруга - тест: 32V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.93GHz ~ 1.99GHz, Посилення: 17.9dB, Напруга - тест: 28V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 880MHz, Посилення: 20.8dB, Напруга - тест: 28V,
Транзисторний тип: HFET, Частота: 12GHz, Посилення: 13.5dB, Напруга - тест: 2V, Поточний рейтинг: 70mA, Фігура шуму: 0.35dB,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 460MHz, Напруга - тест: 7.5V, Поточний рейтинг: 3A,
Транзисторний тип: N-Channel JFET, Поточний рейтинг: 30mA,
Транзисторний тип: E-pHEMT, Частота: 10GHz, Посилення: 9dB, Напруга - тест: 3V, Поточний рейтинг: 100mA, Фігура шуму: 0.81dB,
Транзисторний тип: Silicon Carbide MESFET, Частота: 1.95GHz, Посилення: 15dB, Напруга - тест: 48V, Поточний рейтинг: 1.8A, Фігура шуму: 3.1dB,
