Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - один

BSP88L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP88L6327HTSA1

частина: 95

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 240V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 350mA (Ta), Приводна напруга: 2.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 350mA, 10V,

До побажання
BSP317PE6327T
Infineon Technologies

BSP317PE6327T

частина: 28

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 250V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 430mA (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 430mA, 10V,

До побажання
BSP316PE6327T
Infineon Technologies

BSP316PE6327T

частина: 47

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 680mA (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 680mA, 10V,

До побажання
BSP315PE6327T
Infineon Technologies

BSP315PE6327T

частина: 89

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.17A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 1.17A, 10V,

До побажання
BSP295E6327T
Infineon Technologies

BSP295E6327T

частина: 47

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.8A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.8A, 10V,

До побажання
BSP171PE6327T
Infineon Technologies

BSP171PE6327T

частина: 48

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.9A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.9A, 10V,

До побажання
BSP129E6327T
Infineon Technologies

BSP129E6327T

частина: 77

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 240V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 350mA (Ta), Приводна напруга: 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 350mA, 10V,

До побажання
BSP170PE6327T
Infineon Technologies

BSP170PE6327T

частина: 108

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.9A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.9A, 10V,

До побажання
BSO4822T
Infineon Technologies

BSO4822T

частина: 109

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 12.7A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 12.7A, 10V,

До побажання
BSP123E6327T
Infineon Technologies

BSP123E6327T

частина: 98

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 370mA (Ta), Приводна напруга: 2.8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 370mA, 10V,

До побажання
BSO4410T
Infineon Technologies

BSO4410T

частина: 18

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11.1A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 11.1A, 10V,

До побажання
BSO4420T
Infineon Technologies

BSO4420T

частина: 45

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 13A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 mOhm @ 13A, 10V,

До побажання
BSL211SPT
Infineon Technologies

BSL211SPT

частина: 50

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.7A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67 mOhm @ 4.7A, 4.5V,

До побажання
BSL207SPL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSL207SPL6327HTSA1

частина: 54

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 6A, 4.5V,

До побажання
BSL307SPT
Infineon Technologies

BSL307SPT

частина: 9884

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.5A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 5.5A, 10V,

До побажання
BSC059N03ST
Infineon Technologies

BSC059N03ST

частина: 9879

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 19A (Ta), 89A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 50A, 10V,

До побажання
BTS247Z E3062A
Infineon Technologies

BTS247Z E3062A

частина: 9838

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 33A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 12A, 10V,

До побажання
BSC042N03ST
Infineon Technologies

BSC042N03ST

частина: 9859

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A (Ta), 50A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 50A, 10V,

До побажання
BSC022N03SG
Infineon Technologies

BSC022N03SG

частина: 9828

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 28A (Ta), 100A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 50A, 10V,

До побажання
BSS138-F085
ON Semiconductor

BSS138-F085

частина: 18197

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 50V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 220mA (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

До побажання
BSS123_D87Z
ON Semiconductor

BSS123_D87Z

частина: 9827

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 170mA (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

До побажання
BSS84_D87Z
ON Semiconductor

BSS84_D87Z

частина: 9795

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 50V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 130mA (Ta), Приводна напруга: 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V,

До побажання
BSS138_L99Z
ON Semiconductor

BSS138_L99Z

частина: 5980

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 50V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 220mA (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

До побажання
BS170_L34Z
ON Semiconductor

BS170_L34Z

частина: 9830

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 500mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

До побажання
BUZ11_R4941
ON Semiconductor

BUZ11_R4941

частина: 9736

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 50V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 30A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 15A, 10V,

До побажання
BUK764R0-75C,118
Nexperia USA Inc.

BUK764R0-75C,118

частина: 55807

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 75V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання
BSS84TC
Diodes Incorporated

BSS84TC

частина: 9817

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 50V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 130mA (Ta), Приводна напруга: 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V,

До побажання
BSS138TC
Diodes Incorporated

BSS138TC

частина: 9851

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 50V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 200mA (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

До побажання
BSS123TC
Diodes Incorporated

BSS123TC

частина: 9842

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 170mA (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 100mA, 10V,

До побажання
BSS123ATC
Diodes Incorporated

BSS123ATC

частина: 9832

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 170mA (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

До побажання
BS250PSTZ
Diodes Incorporated

BS250PSTZ

частина: 9799

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 45V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 230mA (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

До побажання
BS250PSTOB
Diodes Incorporated

BS250PSTOB

частина: 9856

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 45V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 230mA (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

До побажання
BS170PSTOA
Diodes Incorporated

BS170PSTOA

частина: 9792

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 270mA (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

До побажання
BS107PSTOB
Diodes Incorporated

BS107PSTOB

частина: 9842

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 120mA (Ta), Приводна напруга: 2.6V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 Ohm @ 100mA, 5V,

До побажання
BS170FTC
Diodes Incorporated

BS170FTC

частина: 9815

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 150µA (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

До побажання
BS107PSTOA
Diodes Incorporated

BS107PSTOA

частина: 9830

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 120mA (Ta), Приводна напруга: 2.6V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 Ohm @ 100mA, 5V,

До побажання