Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - один | Дискретні напівпровідникові вироби | 100

BUK625R0-40C,118

частина: 133435

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 90A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання

Nexperia USA Inc.

BUK7207-30B,118

частина: 166786

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання

Nexperia USA Inc.

BUK6212-40C,118

частина: 100786

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 50A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2 mOhm @ 12A, 10V,

До побажання

Nexperia USA Inc.

BUK964R4-40B,118

частина: 76392

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання

Nexperia USA Inc.

BUK9620-100B,118

частина: 103640

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 63A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання

Nexperia USA Inc.

BSH111,215

частина: 8827

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 335mA (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 4.5V,

До побажання

Nexperia USA Inc.

BSH111,235

частина: 8860

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 335mA (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 4.5V,

До побажання

Nexperia USA Inc.

BUK9504-40A,127

частина: 8826

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Приводна напруга: 4.3V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання

Nexperia USA Inc.

BUK7907-55AIE,127

частина: 22756

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 50A, 10V,

До побажання

Nexperia USA Inc.

BUK7908-40AIE,127

частина: 27809

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 50A, 10V,

До побажання

Nexperia USA Inc.

BUK7515-100A,127

частина: 33637

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання

Nexperia USA Inc.

BSN20,215

частина: 8842

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 50V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 173mA (Ta), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 100mA, 10V,

До побажання

Nexperia USA Inc.

BSN20,235

частина: 8816

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 50V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 173mA (Ta), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 100mA, 10V,

До побажання

Nexperia USA Inc.

BUK9518-55A,127

частина: 8881

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 61A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання

Nexperia USA Inc.

BUK953R2-40B,127

частина: 5886

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання

Nexperia USA Inc.

BSH121,135

частина: 166507

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 75V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 300mA (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 4.5V,

До побажання

Nexperia USA Inc.

BUK7105-40AIE,118

частина: 8799

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 50A, 10V,

До побажання

Nexperia USA Inc.

BUK7109-75ATE,118

частина: 8816

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 75V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 50A, 10V,

До побажання

Nexperia USA Inc.

BUK7109-75AIE,118

частина: 8824

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 75V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 50A, 10V,

До побажання

ON Semiconductor

BSS100

частина: 8883

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 220mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 220mA, 10V,

До побажання

ON Semiconductor

BSS110

частина: 8859

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 50V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 170mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 170mA, 10V,

До побажання

Infineon Technologies

BSO065N03MSGXUMA1

частина: 5958

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 13A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 16A, 10V,

До побажання

Diodes Incorporated

BSS138TA

частина: 178827

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 50V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 200mA (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

До побажання

Diodes Incorporated

BSS84TA

частина: 8844

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 50V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 130mA (Ta), Приводна напруга: 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V,

До побажання

NXP USA Inc.

BUK7506-75B,127

частина: 8848

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 75V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання

NXP USA Inc.

BSH205,215

частина: 8830

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 750mA (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 430mA, 4.5V,

До побажання

NXP USA Inc.

BUK9524-55A,127

частина: 8825

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 46A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.7 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання

NXP USA Inc.

BSH112,235

частина: 8798

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 300mA (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

До побажання

NXP USA Inc.

BUK9880-55A,115

частина: 8884

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73 mOhm @ 8A, 10V,

До побажання

NXP USA Inc.

BUK7E07-55B,127

частина: 5935

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання

NXP USA Inc.

BUK753R1-40B,127

частина: 8810

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання

NXP USA Inc.

BUK9506-55B,127

частина: 8845

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання

NXP USA Inc.

BUK9623-75A,118

частина: 8887

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 75V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 53A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання

NXP USA Inc.

BUK6240-75C,118

частина: 8827

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 75V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 22A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 10A, 10V,

До побажання

NXP USA Inc.

BUK7614-55A,118

частина: 8843

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 73A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання

NXP USA Inc.

BUK754R3-75C,127

частина: 5885

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 75V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання