Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - один

AOD403_DELTA

частина: 2127

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 15A (Ta), 70A (Tc), Приводна напруга: 10V, 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 20A, 20V,

AOD4102L

частина: 2167

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8A (Ta), 19A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 12A, 10V,

AOD403_030

частина: 2111

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 15A (Ta), 70A (Tc), Приводна напруга: 10V, 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 20A, 20V,

AOD206_030

частина: 2125

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 18A (Ta), 46A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 4.5V,

AO6411

частина: 2171

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7A (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V,

AO7403_001

частина: 2111

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 700mA (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470 mOhm @ 700mA, 4.5V,

AO5404E_001

частина: 2169

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 500mA (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 500mA, 4.5V,

AO5404EL

частина: 2148

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 500mA (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 500mA, 4.5V,

AO4771L

частина: 2144

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 4A, 10V,

AO4710L_101

частина: 6241

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 12.7A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8 mOhm @ 12.7A, 10V,

AO4488L_101

частина: 2124

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 15A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 20A, 10V,

AO4498EL

частина: 2189

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 18A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 18A, 10V,

AO4485_102

частина: 2105

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 10A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 10A, 10V,

AO4404BL_101

частина: 2103

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8.5A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 8.5A, 10V,

AO4437L

частина: 2175

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11A (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 11A, 4.5V,

AO4202_120

частина: 2149

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 19A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 19A, 10V,

AOY516

частина: 6234

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 46A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

AON6516_151

частина: 6224

Приводна напруга: 4.5V, 10V,

AON7548

частина: 6244

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 24A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 20A, 10V,

AOD526

частина: 2176

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 50A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

AOI452A

частина: 2100

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 25V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 55A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3 mOhm @ 20A, 10V,

AOD516_051

частина: 6275

Приводна напруга: 4.5V, 10V,

AOD518_051

частина: 2140

Приводна напруга: 4.5V, 10V,

AOB20C60

частина: 6275

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 10A, 10V,

AOD4160

частина: 2097

AOB11C60

частина: 2095

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440 mOhm @ 5.5A, 10V,

AO4304_001

частина: 6227

Приводна напруга: 4.5V, 10V,

AO4264

частина: 2161

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 12A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 12A, 10V,

AUXMOS20956STR

частина: 2131

AUXS20956S

частина: 2187

APT80SM120S

частина: 2172

Тип FET: N-Channel, Технологія: SiCFET (Silicon Carbide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 80A (Tc), Приводна напруга: 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 40A, 20V,

APT80SM120J

частина: 2121

Тип FET: N-Channel, Технологія: SiCFET (Silicon Carbide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 51A (Tc), Приводна напруга: 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 40A, 20V,

APT80SM120B

частина: 2112

Тип FET: N-Channel, Технологія: SiCFET (Silicon Carbide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 80A (Tc), Приводна напруга: 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 40A, 20V,

APT70SM70J

частина: 6264

Тип FET: N-Channel, Технологія: SiCFET (Silicon Carbide), Слив до джерела напруги (Vdss): 700V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 49A (Tc), Приводна напруга: 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 32.5A, 20V,

APT70SM70S

частина: 2124

Тип FET: N-Channel, Технологія: SiCFET (Silicon Carbide), Слив до джерела напруги (Vdss): 700V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 65A (Tc), Приводна напруга: 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 32.5A, 20V,

APT25SM120S

частина: 2166

Тип FET: N-Channel, Технологія: SiCFET (Silicon Carbide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 10A, 20V,