Тип | Опис |
Статус частини | Obsolete |
---|---|
Тип FET | N-Channel |
Технологія | SiCFET (Silicon Carbide) |
Слив до джерела напруги (Vdss) | 1200V |
Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C | 25A (Tc) |
Приводна напруга | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 175 mOhm @ 10A, 20V |
Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор | 2.5V @ 1mA |
Зарядка затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 72nC @ 20V |
Vgs (макс.) | - |
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds | - |
Функція FET | - |
Розсіювання потужності (макс.) | 175W (Tc) |
Робоча температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Тип кріплення | Chassis Mount |
Пакет пристроїв постачальника | D3 |
Пакет / футляр | D-3 Module |
Статус ROHS | Rohs сумісний |
---|---|
Рівень чутливості вологості (MSL) | Не застосовується |
Статус життєвого циклу | Застарілий / кінець життя |
Столярна категорія | Доступний запас |