Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - один

APT29F100B2

частина: 3359

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1000V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 30A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440 mOhm @ 16A, 10V,

APT8020JLL

частина: 1917

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 800V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 33A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 16.5A, 10V,

APTM100UM65SAG

частина: 414

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1000V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 145A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 72.5A, 10V,

APT8M100B

частина: 10958

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1000V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 4A, 10V,

APT77N60JC3

частина: 2033

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 77A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 60A, 10V,

APT42F50B

частина: 5480

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 42A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 21A, 10V,

APT50M65JFLL

частина: 1737

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 58A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 29A, 10V,

APT5010JVRU2

частина: 2081

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 44A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 22A, 10V,

APT1204R7BFLLG

частина: 5881

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 Ohm @ 1.75A, 10V,

APT60N60BCSG

частина: 3141

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 60A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 44A, 10V,

AOTF286L

частина: 38769

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 80V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 13.5A (Ta), 56A (Tc), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 20A, 10V,

AOK2500L

частина: 13896

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 150V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 14A (Ta), 180A (Tc), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 20A, 10V,

AOK20N60L

частина: 22103

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370 mOhm @ 10A, 10V,

AOTF2910L

частина: 63142

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 22A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 20A, 10V,

AOT10N60

частина: 52685

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 10A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 5A, 10V,

AOT42S60L

частина: 12873

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 37A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99 mOhm @ 21A, 10V,

AOT15S65L

частина: 25469

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 15A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 7.5A, 10V,

AOT414

частина: 62647

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.6A (Ta), 43A (Tc), Приводна напруга: 7V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 20A, 10V,

AOTF266L

частина: 27517

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 18A (Ta), 78A (Tc), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 20A, 10V,

AOU3N50

частина: 116276

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.8A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.5A, 10V,

AOTF11N60L

частина: 52006

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 5.5A, 10V,

AOT14N50

частина: 45265

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 14A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 7A, 10V,

AOT9N50

частина: 67898

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 4.5A, 10V,

AOT5N50

частина: 83243

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2.5A, 10V,

AOT7S65L

частина: 38966

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 3.5A, 10V,

AOTF190A60L

частина: 23636

AUIRF1324WL

частина: 16154

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 24V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 240A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 mOhm @ 195A, 10V,

AUIRFB8409

частина: 14116

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 195A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 mOhm @ 100A, 10V,

AUIRFS4127

частина: 13174

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 72A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 44A, 10V,

AUIRFP064N

частина: 16704

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 110A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 59A, 10V,

AUIRLZ44Z

частина: 34954

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 51A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 31A, 10V,

AUIRF4905

частина: 22973

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 74A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 38A, 10V,

AUIRFSL6535

частина: 21762

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 300V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 19A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185 mOhm @ 11A, 10V,

AUIRFZ44N

частина: 33642

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 49A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5 mOhm @ 25A, 10V,

AUIRFS8409-7P

частина: 13563

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 240A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75 mOhm @ 100A, 10V,

AUIRLU3114Z

частина: 32217

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 130A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 42A, 10V,