Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - один | Дискретні напівпровідникові вироби | 100

APTM10DAM05TG

частина: 1270

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 278A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 125A, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APTM100UM65DAG

частина: 401

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1000V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 145A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 72.5A, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APT5010JVRU3

частина: 1676

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 44A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 22A, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APTM20SKM04G

частина: 575

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 372A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 186A, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APT50M75JLLU3

частина: 1669

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 51A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 25.5A, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APT20M22JVRU2

частина: 2774

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 97A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 48.5A, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APTM20UM03FAG

частина: 348

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 580A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 290A, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APTM100DA18TG

частина: 1110

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1000V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 43A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 21.5A, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APTM100DAM90G

частина: 663

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1000V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 78A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 39A, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APT50M75JLLU2

частина: 2501

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 51A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 25.5A, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APTM50DAM19G

частина: 700

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 163A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5 mOhm @ 81.5A, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APTM100SK33T1G

частина: 2465

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1000V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 23A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396 mOhm @ 18A, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APT20M22JVRU3

частина: 2717

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 97A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 48.5A, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APTM10UM02FAG

частина: 598

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 570A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 200A, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APT30N60BC6

частина: 10292

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 30A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 14.5A, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APT34N80B2C3G

частина: 5891

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 800V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 34A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 22A, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APT56F50B2

частина: 4759

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 56A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 28A, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APT40SM120J

частина: 1532

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 32A (Tc), Приводна напруга: 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 20A, 20V,

До побажання

Microsemi Corporation

APT41F100J

частина: 1368

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1000V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 42A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 33A, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APT17F100B

частина: 5570

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1000V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 17A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 9A, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APT53N60BC6

частина: 6683

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 53A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 25.8A, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APT38F80L

частина: 3497

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 800V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 41A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 20A, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APT50M38JLL

частина: 1146

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 88A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 44A, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APT30M70BVRG

частина: 4637

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 300V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 48A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 500mA, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APT47N60BC3G

частина: 4645

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 47A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 30A, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APT38N60BC6

частина: 8547

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 38A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99 mOhm @ 18A, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APTM10UM01FAG

частина: 384

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 860A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 275A, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APT51M50J

частина: 2614

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 51A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 37A, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APT5010LLLG

частина: 3721

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 46A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 23A, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APT5010JLLU2

частина: 2221

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 41A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 23A, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APT7F120B

частина: 9338

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9 Ohm @ 3A, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APT10090BLLG

частина: 3787

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1000V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 12A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 6A, 10V,

До побажання

Infineon Technologies

AUIRFR024N

частина: 341

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 17A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 10A, 10V,

До побажання

Infineon Technologies

AUIRF2907Z

частина: 17659

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 75V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 75A, 10V,

До побажання

Infineon Technologies

AUIRF3205

частина: 25635

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 62A, 10V,

До побажання

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOK27S60L

частина: 13908

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 27A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 13.5A, 10V,

До побажання