Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Діоди - стабілітронові - одинарні

  • Додому
  •  
  • Діоди - стабілітронові - одинарні
BZG05B24-E3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B24-E3-TR

частина: 6847

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 24V, Толерантність: ±2%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 25 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 18V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B22-HE3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B22-HE3-TR3

частина: 6817

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 22V, Толерантність: ±2%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 25 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 16V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B22-E3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B22-E3-TR3

частина: 6843

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 22V, Толерантність: ±2%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 25 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 16V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B22-HE3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B22-HE3-TR

частина: 6832

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 22V, Толерантність: ±2%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 25 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 16V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B20-HE3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B20-HE3-TR3

частина: 6904

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 20V, Толерантність: ±2%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 24 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 15V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B22-E3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B22-E3-TR

частина: 6907

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 22V, Толерантність: ±2%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 25 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 16V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B20-E3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B20-E3-TR3

частина: 3771

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 20V, Толерантність: ±2%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 24 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 15V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B20-HE3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B20-HE3-TR

частина: 6901

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 20V, Толерантність: ±2%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 24 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 15V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B20-E3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B20-E3-TR

частина: 6858

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 20V, Толерантність: ±2%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 24 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 15V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B18-HE3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B18-HE3-TR3

частина: 3772

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 18V, Толерантність: ±2%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 13V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B18-E3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B18-E3-TR3

частина: 6837

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 18V, Толерантність: ±2%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 13V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B18-HE3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B18-HE3-TR

частина: 6886

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 18V, Толерантність: ±2%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 13V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B18-E3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B18-E3-TR

частина: 6883

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 18V, Толерантність: ±2%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 13V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B16-HE3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B16-HE3-TR3

частина: 6821

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 16V, Толерантність: ±2%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 12V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B16-E3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B16-E3-TR3

частина: 6814

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 16V, Толерантність: ±2%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 12V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B16-HE3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B16-HE3-TR

частина: 6853

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 16V, Толерантність: ±2%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 12V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B16-E3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B16-E3-TR

частина: 6887

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 16V, Толерантність: ±2%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 12V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B15-HE3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B15-HE3-TR

частина: 6843

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 15V, Толерантність: ±2%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 11V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B15-HE3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B15-HE3-TR3

частина: 6849

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 15V, Толерантність: ±2%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 11V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B15-E3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B15-E3-TR3

частина: 6907

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 15V, Толерантність: ±2%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 11V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B15-E3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B15-E3-TR

частина: 6870

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 15V, Толерантність: ±2%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 11V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B13-HE3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B13-HE3-TR

частина: 6863

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 13V, Толерантність: ±2%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 10V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B13-HE3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B13-HE3-TR3

частина: 3700

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 13V, Толерантність: ±2%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 10V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B13-E3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B13-E3-TR3

частина: 6858

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 13V, Толерантність: ±2%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 10V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B13-E3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B13-E3-TR

частина: 6825

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 13V, Толерантність: ±2%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 10V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B12-HE3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B12-HE3-TR3

частина: 6899

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 12V, Толерантність: ±2%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 9 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 9.1V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B12-HE3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B12-HE3-TR

частина: 6864

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 12V, Толерантність: ±2%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 9 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 9.1V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B12-E3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B12-E3-TR3

частина: 6843

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 12V, Толерантність: ±2%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 9 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 9.1V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B12-E3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B12-E3-TR

частина: 6860

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 12V, Толерантність: ±2%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 9 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 9.1V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B11-HE3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B11-HE3-TR

частина: 6838

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 11V, Толерантність: ±2%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 8 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 8.2V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B11-HE3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B11-HE3-TR3

частина: 6818

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 11V, Толерантність: ±2%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 8 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 8.2V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B11-E3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B11-E3-TR3

частина: 6901

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 11V, Толерантність: ±2%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 8 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 8.2V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B11-E3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B11-E3-TR

частина: 6820

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 11V, Толерантність: ±2%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 8 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 8.2V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B10-HE3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B10-HE3-TR3

частина: 6902

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 10V, Толерантність: ±2%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 7 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 7V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B10-E3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B10-E3-TR3

частина: 6860

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 10V, Толерантність: ±2%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 7 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 7V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B10-E3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B10-E3-TR

частина: 6898

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 10V, Толерантність: ±2%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 7 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 7V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань