Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - маси | Дискретні напівпровідникові вироби | 18

19MT050XF

частина: 2704

Тип FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 31A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 19A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 6V @ 250µA,

Список побажань

Vishay Siliconix

SI1033X-T1-GE3

частина: 174190

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 145mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 150mA, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.2V @ 250µA,

Список побажань

Vishay Siliconix

SIA777EDJ-T1-GE3

частина: 187147

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.5A, 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225 mOhm @ 1.6A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA,

Список побажань

Vishay Siliconix

SI4505DY-T1-E3

частина: 118937

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, 8V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6A, 3.8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7.8A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.8V @ 250µA,

Список побажань

Vishay Siliconix

SI4808DY-T1-E3

частина: 80900

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 800mV @ 250µA (Min),

Список побажань

Vishay Siliconix

SI7962DP-T1-E3

частина: 38892

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 11.1A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 4.5V @ 250µA,

Список побажань

Vishay Siliconix

SI7900AEDN-T1-GE3

частина: 139913

Тип FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 8.5A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 900mV @ 250µA,

Список побажань

Vishay Siliconix

SUD50NP04-77P-T4E3

частина: 118918

Тип FET: N and P-Channel, Common Drain, Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 250µA,

Список побажань

Vishay Siliconix

SI6968BEDQ-T1-GE3

частина: 192809

Тип FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.6V @ 250µA,

Список побажань

Vishay Siliconix

SI4936CDY-T1-E3

частина: 152475

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

Список побажань

Vishay Siliconix

SI3948DV-T1-GE3

частина: 139953

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA (Min),

Список побажань

Vishay Siliconix

SI6975DQ-T1-E3

частина: 56765

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 450mV @ 5mA (Min),

Список побажань

Vishay Siliconix

SI6975DQ-T1-GE3

частина: 89660

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 450mV @ 5mA (Min),

Список побажань

Vishay Siliconix

SI6954ADQ-T1-GE3

частина: 102782

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA (Min),

Список побажань

Vishay Siliconix

SI7904BDN-T1-GE3

частина: 165688

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7.1A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA,

Список побажань

Vishay Siliconix

SI4276DY-T1-E3

частина: 139906

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3 mOhm @ 9.5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 250µA,

Список побажань

Vishay Siliconix

SI4943BDY-T1-GE3

частина: 73684

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8.4A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

Список побажань

Vishay Siliconix

SI6954ADQ-T1-E3

частина: 197681

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA (Min),

Список побажань

Vishay Siliconix

SI8900EDB-T2-E1

частина: 45537

Тип FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.4A, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 1.1mA,

Список побажань

Vishay Siliconix

SI7913DN-T1-GE3

частина: 93108

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 7.4A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA,

Список побажань

Vishay Siliconix

SI6968BEDQ-T1-E3

частина: 118914

Тип FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.6V @ 250µA,

Список побажань

Vishay Siliconix

SI7904BDN-T1-E3

частина: 165763

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7.1A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA,

Список побажань

Vishay Siliconix

SI4948BEY-T1-GE3

частина: 125231

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

Список побажань

Vishay Siliconix

SI4946BEY-T1-E3

частина: 150097

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 5.3A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

Список побажань

Vishay Siliconix

SI4808DY-T1-GE3

частина: 80857

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 800mV @ 250µA (Min),

Список побажань

Vishay Siliconix

SI3951DV-T1-GE3

частина: 199685

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.5V @ 250µA,

Список побажань

Vishay Siliconix

SI7923DN-T1-E3

частина: 101885

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 6.4A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

Список побажань

Vishay Siliconix

SI5902BDC-T1-E3

частина: 125159

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

Список побажань

Vishay Siliconix

SI5908DC-T1-GE3

частина: 118967

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA,

Список побажань

Vishay Siliconix

SIZ904DT-T1-GE3

частина: 140725

Тип FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 12A, 16A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.8A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 250µA,

Список побажань

Vishay Siliconix

SI7923DN-T1-GE3

частина: 101842

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 6.4A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

Список побажань

Vishay Siliconix

SIZ918DT-T1-GE3

частина: 132159

Тип FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 16A, 28A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 13.8A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.2V @ 250µA,

Список побажань

Vishay Siliconix

SI4505DY-T1-GE3

частина: 118954

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, 8V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6A, 3.8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7.8A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.8V @ 250µA,

Список побажань

Vishay Siliconix

SI7913DN-T1-E3

частина: 93083

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 7.4A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA,

Список побажань

Vishay Siliconix

SI4554DY-T1-GE3

частина: 106365

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 6.8A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.2V @ 250µA,

Список побажань

Vishay Siliconix

SQ4282EY-T1_GE3

частина: 10808

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 250µA,

Список побажань