Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Діоди - стабілітронові - одинарні

  • Додому
  •  
  • Діоди - стабілітронові - одинарні
BZG05B43-E3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B43-E3-TR3

частина: 6852

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 43V, Толерантність: ±2%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 50 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 33V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B43-HE3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B43-HE3-TR

частина: 6848

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 43V, Толерантність: ±2%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 50 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 33V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B43-E3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B43-E3-TR

частина: 6890

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 43V, Толерантність: ±2%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 50 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 33V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B3V9-HE3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B3V9-HE3-TR

частина: 6830

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 3.9V, Толерантність: ±2.05%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 10µA @ 1V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B3V9-E3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B3V9-E3-TR3

частина: 6850

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 3.9V, Толерантність: ±2.05%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 10µA @ 1V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B3V9-E3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B3V9-E3-TR

частина: 6862

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 3.9V, Толерантність: ±2.05%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 10µA @ 1V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B3V6-HE3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B3V6-HE3-TR3

частина: 6843

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 3.6V, Толерантність: ±1.94%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 20µA @ 1V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B3V6-HE3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B3V6-HE3-TR

частина: 6862

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 3.6V, Толерантність: ±1.94%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 20µA @ 1V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B3V3-HE3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B3V3-HE3-TR3

частина: 6890

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 3.3V, Толерантність: ±2.12%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 40µA @ 1V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B3V6-E3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B3V6-E3-TR

частина: 6833

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 3.6V, Толерантність: ±1.94%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 20µA @ 1V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B3V3-E3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B3V3-E3-TR3

частина: 6920

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 3.3V, Толерантність: ±2.12%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 40µA @ 1V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B3V3-HE3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B3V3-HE3-TR

частина: 6879

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 3.3V, Толерантність: ±2.12%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 40µA @ 1V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B3V3-E3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B3V3-E3-TR

частина: 6910

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 3.3V, Толерантність: ±2.12%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 40µA @ 1V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B39-HE3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B39-HE3-TR3

частина: 6898

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 39V, Толерантність: ±2%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 50 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 30V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B39-HE3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B39-HE3-TR

частина: 6888

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 39V, Толерантність: ±2%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 50 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 30V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B39-E3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B39-E3-TR3

частина: 6910

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 39V, Толерантність: ±2%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 50 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 30V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B39-E3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B39-E3-TR

частина: 6881

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 39V, Толерантність: ±2%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 50 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 30V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B36-HE3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B36-HE3-TR

частина: 6866

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 36V, Толерантність: ±2%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 27V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B36-HE3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B36-HE3-TR3

частина: 3776

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 36V, Толерантність: ±2%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 27V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B36-E3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B36-E3-TR3

частина: 6841

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 36V, Толерантність: ±2%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 27V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B36-E3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B36-E3-TR

частина: 6917

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 36V, Толерантність: ±2%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 27V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B33-HE3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B33-HE3-TR3

частина: 6867

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 33V, Толерантність: ±2%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 35 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 24V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B33-HE3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B33-HE3-TR

частина: 6863

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 33V, Толерантність: ±2%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 35 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 24V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B33-E3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B33-E3-TR

частина: 6842

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 33V, Толерантність: ±2%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 35 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 24V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B33-E3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B33-E3-TR3

частина: 6878

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 33V, Толерантність: ±2%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 35 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 24V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B30-HE3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B30-HE3-TR

частина: 6836

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 30V, Толерантність: ±2%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 22V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B30-HE3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B30-HE3-TR3

частина: 6817

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 30V, Толерантність: ±2%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 22V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B30-E3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B30-E3-TR

частина: 6881

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 30V, Толерантність: ±2%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 22V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B30-E3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B30-E3-TR3

частина: 6894

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 30V, Толерантність: ±2%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 22V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B27-HE3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B27-HE3-TR3

частина: 6836

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 27V, Толерантність: ±2%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 20V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B27-HE3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B27-HE3-TR

частина: 6864

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 27V, Толерантність: ±2%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 20V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B27-E3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B27-E3-TR3

частина: 6897

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 27V, Толерантність: ±2%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 20V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B27-E3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B27-E3-TR

частина: 6829

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 27V, Толерантність: ±2%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 20V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B24-HE3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B24-HE3-TR

частина: 6867

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 24V, Толерантність: ±2%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 25 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 18V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B24-HE3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B24-HE3-TR3

частина: 3756

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 24V, Толерантність: ±2%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 25 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 18V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань
BZG05B24-E3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B24-E3-TR3

частина: 3704

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 24V, Толерантність: ±2%, Потужність - Макс: 1.25W, Опір (макс.) (Zzt): 25 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 18V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200mA,

Список побажань