Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - маси

  • Додому
  •  
  • Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - маси
SQJ262EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ262EP-T1_GE3

частина: 2536

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 15A (Tc), 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5 mOhm @ 2A, 10V, 15.5 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 250µA,

Список побажань
SQS944ENW-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQS944ENW-T1_GE3

частина: 2484

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 1.25A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 250µA,

Список побажань
SI4202DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4202DY-T1-GE3

частина: 118970

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 12.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 250µA,

Список побажань
SI1029X-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1029X-T1-GE3

частина: 164736

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 305mA, 190mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 250µA,

Список побажань
SIA533EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA533EDJ-T1-GE3

частина: 106980

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 4.6A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA,

Список побажань
SIA975DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA975DJ-T1-GE3

частина: 159548

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 4.3A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA,

Список побажань
SQJ260EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ260EP-T1_GE3

частина: 2593

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A (Tc), 54A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 6A, 10V, 8.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 250µA,

Список побажань
SI1026X-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1026X-T1-GE3

частина: 107231

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 305mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 250µA,

Список побажань
SI5515CDC-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5515CDC-T1-GE3

частина: 185766

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 800mV @ 250µA,

Список побажань
SI1539CDL-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1539CDL-T1-GE3

частина: 143752

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 700mA, 500mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 388 mOhm @ 600mA, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 250µA,

Список побажань
SIA517DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA517DJ-T1-GE3

частина: 150755

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA,

Список побажань
SIR770DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR770DP-T1-GE3

частина: 139904

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.8V @ 250µA,

Список побажань
SI1553CDL-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1553CDL-T1-GE3

частина: 145828

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 700mA, 500mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 700mA, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.5V @ 250µA,

Список побажань
SQJB70EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJB70EP-T1_GE3

частина: 113439

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3.5V @ 250µA,

Список побажань
SI4936BDY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4936BDY-T1-E3

частина: 168524

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.9A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

Список побажань
SI1965DH-T1-E3
Vishay Siliconix

SI1965DH-T1-E3

частина: 100544

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA,

Список побажань
SIA911ADJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA911ADJ-T1-GE3

частина: 139873

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116 mOhm @ 2.8A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA,

Список побажань
SQJ990EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ990EP-T1_GE3

частина: 141592

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 34A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 6A, 10V, 19 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 250µA,

Список побажань
SQ1563AEH-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ1563AEH-T1_GE3

частина: 2535

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 850mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 850mA, 4.5V, 575 mOhm @ 800mA, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.5V @ 250µA,

Список побажань
SIA537EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA537EDJ-T1-GE3

частина: 157576

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 5.2A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA,

Список побажань
SI5513CDC-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5513CDC-T1-GE3

частина: 193923

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4A, 3.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.5V @ 250µA,

Список побажань
SQJQ904E-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJQ904E-T1_GE3

частина: 54848

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3.5V @ 250µA,

Список побажань
SI1926DL-T1-E3
Vishay Siliconix

SI1926DL-T1-E3

частина: 150474

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 370mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 340mA, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 250µA,

Список побажань
SI7212DN-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7212DN-T1-E3

частина: 57376

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 6.8A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.6V @ 250µA,

Список побажань
SQJB40EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJB40EP-T1_GE3

частина: 152466

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 250µA,

Список побажань
SQJ963EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ963EP-T1_GE3

частина: 91401

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 250µA,

Список побажань
SI7972DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7972DP-T1-GE3

частина: 149146

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.7V @ 250µA,

Список побажань
SQJQ910EL-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJQ910EL-T1_GE3

частина: 2597

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 250µA,

Список побажань
SI7949DP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7949DP-T1-E3

частина: 39374

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

Список побажань
SQJB00EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJB00EP-T1_GE3

частина: 152443

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3.5V @ 250µA,

Список побажань
SI4900DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4900DY-T1-E3

частина: 142035

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

Список побажань
SQJQ980EL-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJQ980EL-T1_GE3

частина: 2601

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 80V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 250µA,

Список побажань
SIZF906ADT-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIZF906ADT-T1-GE3

частина: 2533

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Schottky, Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 15A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.2V @ 250µA,

Список побажань
SI4214DDY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4214DDY-T1-E3

частина: 188973

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 250µA,

Список побажань
SQJB80EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJB80EP-T1_GE3

частина: 152485

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 80V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 250µA,

Список побажань
SI4925BDY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4925BDY-T1-E3

частина: 152470

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7.1A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

Список побажань