Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - маси

  • Додому
  •  
  • Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - маси
SI5944DU-T1-E3
Vishay Siliconix

SI5944DU-T1-E3

частина: 2715

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112 mOhm @ 3.3A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

Список побажань
SI1016X-T1-E3
Vishay Siliconix

SI1016X-T1-E3

частина: 2759

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 485mA, 370mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA,

Список побажань
SI5904DC-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5904DC-T1-GE3

частина: 2807

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3.1A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.5V @ 250µA,

Список побажань
SI9936BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI9936BDY-T1-GE3

частина: 2872

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

Список побажань
VQ2001P-2
Vishay Siliconix

VQ2001P-2

частина: 2875

Тип FET: 4 P-Channel, Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 600mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1A, 12V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 4.5V @ 1mA,

Список побажань
SIA911DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA911DJ-T1-GE3

частина: 2844

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94 mOhm @ 2.8A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA,

Список побажань
SI4814BDY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4814BDY-T1-E3

частина: 3376

Тип FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 10A, 10.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

Список побажань
SI4818DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4818DY-T1-GE3

частина: 2835

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.3A, 7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.3A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 800mV @ 250µA (Min),

Список побажань
SI7904DN-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7904DN-T1-E3

частина: 2818

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7.7A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 935µA,

Список побажань
SI5920DC-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5920DC-T1-GE3

частина: 2868

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 8V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6.8A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA,

Список побажань
SI5519DU-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5519DU-T1-GE3

частина: 2823

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 6.1A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.8V @ 250µA,

Список побажань
SI1903DL-T1-E3
Vishay Siliconix

SI1903DL-T1-E3

частина: 2791

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 410mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 995 mOhm @ 410mA, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.5V @ 250µA,

Список побажань
SI1905DL-T1-E3
Vishay Siliconix

SI1905DL-T1-E3

частина: 2724

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 8V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 570mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 570mA, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 450mV @ 250µA (Min),

Список побажань
SI6983DQ-T1-E3
Vishay Siliconix

SI6983DQ-T1-E3

частина: 2714

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 5.4A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 400µA,

Список побажань
VQ2001P
Vishay Siliconix

VQ2001P

частина: 2906

Тип FET: 4 P-Channel, Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 600mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1A, 12V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 4.5V @ 1mA,

Список побажань
SI4947ADY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4947ADY-T1-GE3

частина: 2852

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3.9A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA (Min),

Список побажань
SI1913DH-T1-E3
Vishay Siliconix

SI1913DH-T1-E3

частина: 2766

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 880mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490 mOhm @ 880mA, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 100µA,

Список побажань
SI4276DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4276DY-T1-GE3

частина: 2851

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3 mOhm @ 9.5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 250µA,

Список побажань
SI3905DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3905DV-T1-GE3

частина: 2849

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 450mV @ 250µA (Min),

Список побажань
SI4913DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4913DY-T1-GE3

частина: 2852

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 9.4A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 500µA,

Список побажань
SI3909DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3909DV-T1-GE3

частина: 2826

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 1.8A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 500mV @ 250µA (Min),

Список побажань
SI4944DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4944DY-T1-GE3

частина: 2874

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 12.2A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

Список побажань
SI4933DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4933DY-T1-GE3

частина: 2815

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9.8A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 500µA,

Список побажань
SI7909DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7909DN-T1-GE3

частина: 2908

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 7.7A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 700µA,

Список побажань
SI7844DP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7844DP-T1-E3

частина: 3302

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.4V @ 250µA,

Список побажань
SI4567DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4567DY-T1-GE3

частина: 2812

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5A, 4.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.1A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.2V @ 250µA,

Список побажань
SI7214DN-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7214DN-T1-E3

частина: 99156

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 6.4A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

Список побажань
SI4532ADY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4532ADY-T1-E3

частина: 139238

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.7A, 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA (Min),

Список побажань
SI5513DC-T1-E3
Vishay Siliconix

SI5513DC-T1-E3

частина: 2794

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.1A, 2.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3.1A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.5V @ 250µA,

Список побажань
SI5947DU-T1-E3
Vishay Siliconix

SI5947DU-T1-E3

частина: 2793

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.5V @ 250µA,

Список побажань
SI7909DN-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7909DN-T1-E3

частина: 2903

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 7.7A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 700µA,

Список побажань
SIZ914DT-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIZ914DT-T1-GE3

частина: 89189

Тип FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 16A, 40A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4 mOhm @ 19A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.4V @ 250µA,

Список побажань
SI4834BDY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4834BDY-T1-E3

частина: 2745

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

Список побажань
SIB911DK-T1-E3
Vishay Siliconix

SIB911DK-T1-E3

частина: 2804

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA,

Список побажань
SI7224DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7224DN-T1-GE3

частина: 139892

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6.5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.2V @ 250µA,

Список побажань
SMMB911DK-T1-GE3
Vishay Siliconix

SMMB911DK-T1-GE3

частина: 2878

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA,

Список побажань