Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - один

SI4408DY-T1-E3

SI4408DY-T1-E3

частина: 75002

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 14A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 21A, 10V,

Список побажань
SI4413CDY-T1-GE3

SI4413CDY-T1-GE3

частина: 85095

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V,

Список побажань
SI4459BDY-T1-GE3

SI4459BDY-T1-GE3

частина: 256

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20.5A (Ta), 27.8A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 15A, 10V,

Список побажань
SIRA06DP-T1-GE3

SIRA06DP-T1-GE3

частина: 139936

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 40A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 15A, 10V,

Список побажань
SI4164DY-T1-GE3

SI4164DY-T1-GE3

частина: 124191

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 30A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 15A, 10V,

Список побажань
SIRA02DP-T1-GE3

SIRA02DP-T1-GE3

частина: 86565

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 50A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 15A, 10V,

Список побажань
SI4413ADY-T1-E3

SI4413ADY-T1-E3

частина: 91531

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 10.5A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 13A, 10V,

Список побажань
SISS65DN-T1-GE3

SISS65DN-T1-GE3

частина: 232

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 25.9A (Ta), 94A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 15A, 10V,

Список побажань
SI7456DP-T1-E3

SI7456DP-T1-E3

частина: 98101

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.7A (Ta), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 9.3A, 10V,

Список побажань
SI4401BDY-T1-GE3

SI4401BDY-T1-GE3

частина: 101828

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8.7A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 10.5A, 10V,

Список побажань
SI3443BDV-T1-GE3

SI3443BDV-T1-GE3

частина: 120247

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.6A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.7A, 4.5V,

Список побажань
SI4421DY-T1-E3

SI4421DY-T1-E3

частина: 98039

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 10A (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.75 mOhm @ 14A, 4.5V,

Список побажань
SIA469DJ-T1-GE3

SIA469DJ-T1-GE3

частина: 161338

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 12A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5 mOhm @ 5A, 10V,

Список побажань
SI2318DS-T1-GE3

SI2318DS-T1-GE3

частина: 149541

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.9A, 10V,

Список побажань
SIRA18ADP-T1-GE3

SIRA18ADP-T1-GE3

частина: 256

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 30.6A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7 mOhm @ 10A, 10V,

Список побажань
SI4866DY-T1-E3

SI4866DY-T1-E3

частина: 69536

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 17A, 4.5V,

Список побажань
SIR106DP-T1-RE3

SIR106DP-T1-RE3

частина: 221

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 16.1A (Ta), 65.8A (Tc), Приводна напруга: 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 15A, 10V,

Список побажань
SIR464DP-T1-GE3

SIR464DP-T1-GE3

частина: 116006

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 50A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 15A, 10V,

Список побажань
SI2316DS-T1-GE3

SI2316DS-T1-GE3

частина: 187228

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.9A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.4A, 10V,

Список побажань
SI7153DN-T1-GE3

SI7153DN-T1-GE3

частина: 257

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 18A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 20A, 10V,

Список побажань
SIRA18DP-T1-RE3

SIRA18DP-T1-RE3

частина: 278

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 33A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 10A, 10V,

Список побажань
SI4825DDY-T1-GE3

SI4825DDY-T1-GE3

частина: 189511

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 14.9A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5 mOhm @ 10A, 10V,

Список побажань
SIAA00DJ-T1-GE3

SIAA00DJ-T1-GE3

частина: 297

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 25V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20.1A (Ta), 40A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 15A, 10V,

Список побажань
SI7469DP-T1-E3

SI7469DP-T1-E3

частина: 64458

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 80V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 28A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 10.2A, 10V,

Список побажань
SI3443CDV-T1-E3

SI3443CDV-T1-E3

частина: 138955

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.97A (Tc), Приводна напруга: 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.7A, 4.5V,

Список побажань
SIRA36DP-T1-GE3

SIRA36DP-T1-GE3

частина: 102596

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 40A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 20A, 10V,

Список побажань
SIR104DP-T1-RE3

SIR104DP-T1-RE3

частина: 244

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 18.3A (Ta), 79A (Tc), Приводна напруга: 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4 mOhm @ 15A, 10V,

Список побажань
SI4463BDY-T1-GE3

SI4463BDY-T1-GE3

частина: 124188

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9.8A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 13.7A, 10V,

Список побажань
SI1032X-T1-GE3

SI1032X-T1-GE3

частина: 188997

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 200mA (Ta), Приводна напруга: 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V,

Список побажань
SI7421DN-T1-E3

SI7421DN-T1-E3

частина: 113280

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6.4A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 9.8A, 10V,

Список побажань
SI4442DY-T1-GE3

SI4442DY-T1-GE3

частина: 44328

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 15A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 22A, 10V,

Список побажань
SI4447DY-T1-GE3

SI4447DY-T1-GE3

частина: 146334

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.3A (Ta), Приводна напруга: 15V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 4.5A, 15V,

Список побажань
SI4401BDY-T1-E3

SI4401BDY-T1-E3

частина: 101863

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8.7A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 10.5A, 10V,

Список побажань
IRFI9Z24GPBF

IRFI9Z24GPBF

частина: 25091

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8.5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 5.1A, 10V,

Список побажань
SI7326DN-T1-GE3

SI7326DN-T1-GE3

частина: 199618

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6.5A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5 mOhm @ 10A, 10V,

Список побажань
SISS04DN-T1-GE3

SISS04DN-T1-GE3

частина: 256

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 50.5A (Ta), 80A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 mOhm @ 15A, 10V,

Список побажань