Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - один

SIS110DN-T1-GE3

SIS110DN-T1-GE3

частина: 212

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.2A (Ta), 14.2A (Tc), Приводна напруга: 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 4A, 10V,

Список побажань
SIDR140DP-T1-GE3

SIDR140DP-T1-GE3

частина: 270

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 25V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 79A (Ta), 100A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67 mOhm @ 20A, 10V,

Список побажань
SIRA80DP-T1-RE3

SIRA80DP-T1-RE3

частина: 291

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.62 mOhm @ 20A, 10V,

Список побажань
SI7155DP-T1-GE3

SI7155DP-T1-GE3

частина: 220

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 31A (Ta), 100A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 20A, 10V,

Список побажань
SI8401DB-T1-E1

SI8401DB-T1-E1

частина: 139882

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.6A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 1A, 4.5V,

Список побажань
SIR626DP-T1-RE3

SIR626DP-T1-RE3

частина: 81219

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 20A, 10V,

Список побажань
SIR167DP-T1-GE3

SIR167DP-T1-GE3

частина: 225

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 60A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 15A, 10V,

Список побажань
SIA413ADJ-T1-GE3

SIA413ADJ-T1-GE3

частина: 219

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 12A (Tc), Приводна напруга: 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6.7A, 4.5V,

Список побажань
SIS106DN-T1-GE3

SIS106DN-T1-GE3

частина: 264

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9.8A (Ta), 16A (Tc), Приводна напруга: 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 4A, 10V,

Список побажань
SI7137DP-T1-GE3

SI7137DP-T1-GE3

частина: 66464

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 60A (Tc), Приводна напруга: 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95 mOhm @ 25A, 10V,

Список побажань
SI4408DY-T1-GE3

SI4408DY-T1-GE3

частина: 41762

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 14A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 21A, 10V,

Список побажань
SI4423DY-T1-GE3

SI4423DY-T1-GE3

частина: 57367

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 10A (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 14A, 4.5V,

Список побажань
SISS42DN-T1-GE3

SISS42DN-T1-GE3

частина: 256

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11.8A (Ta), 40.5A (Tc), Приводна напруга: 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4 mOhm @ 15A, 10V,

Список побажань
SI4431BDY-T1-GE3

SI4431BDY-T1-GE3

частина: 148689

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.7A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7.5A, 10V,

Список побажань
SIB417EDK-T1-GE3

SIB417EDK-T1-GE3

частина: 176135

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 8V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9A (Tc), Приводна напруга: 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 5.8A, 4.5V,

Список побажань
SI4866DY-T1-GE3

SI4866DY-T1-GE3

частина: 69518

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 17A, 4.5V,

Список побажань
SIDR392DP-T1-GE3

SIDR392DP-T1-GE3

частина: 257

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 82A (Ta), 100A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.62 mOhm @ 20A, 10V,

Список побажань
SI4862DY-T1-E3

SI4862DY-T1-E3

частина: 41807

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 16V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 17A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 25A, 4.5V,

Список побажань
SI7454DP-T1-GE3

SI7454DP-T1-GE3

частина: 64945

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5A (Ta), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 7.8A, 10V,

Список побажань
SIA110DJ-T1-GE3

SIA110DJ-T1-GE3

частина: 258

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.4A (Ta), 12A (Tc), Приводна напруга: 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4A, 10V,

Список побажань
SI8401DB-T1-E3

SI8401DB-T1-E3

частина: 66637

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.6A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 1A, 4.5V,

Список побажань
SI4436DY-T1-GE3

SI4436DY-T1-GE3

частина: 176138

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 4.6A, 10V,

Список побажань
SI4864DY-T1-E3

SI4864DY-T1-E3

частина: 32930

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 17A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 25A, 4.5V,

Список побажань
SI7862ADP-T1-E3

SI7862ADP-T1-E3

частина: 30529

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 16V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 18A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 29A, 4.5V,

Список побажань
SI7423DN-T1-E3

SI7423DN-T1-E3

частина: 103399

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7.4A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 11.7A, 10V,

Список побажань
SI4864DY-T1-GE3

SI4864DY-T1-GE3

частина: 32968

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 17A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 25A, 4.5V,

Список побажань
SISS27ADN-T1-GE3

SISS27ADN-T1-GE3

частина: 192126

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 50A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1 mOhm @ 15A, 10V,

Список побажань
SISH129DN-T1-GE3

SISH129DN-T1-GE3

частина: 261

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 14.4A (Ta), 35A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4 mOhm @ 14.4A, 10V,

Список побажань
SI7804DN-T1-GE3

SI7804DN-T1-GE3

частина: 132089

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6.5A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 10A, 10V,

Список побажань
SI4413DDY-T1-GE3

SI4413DDY-T1-GE3

частина: 225

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 10A, 10V,

Список побажань
SI1022R-T1-GE3

SI1022R-T1-GE3

частина: 149176

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 330mA (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25 Ohm @ 500mA, 10V,

Список побажань
SI4413ADY-T1-GE3

SI4413ADY-T1-GE3

частина: 57351

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 10.5A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 13A, 10V,

Список побажань
SI7326DN-T1-E3

SI7326DN-T1-E3

частина: 199704

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6.5A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5 mOhm @ 10A, 10V,

Список побажань
SIA106DJ-T1-GE3

SIA106DJ-T1-GE3

частина: 209

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 10A (Ta), 12A (Tc), Приводна напруга: 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 4A, 10V,

Список побажань
SI3460BDV-T1-GE3

SI3460BDV-T1-GE3

частина: 199675

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8A (Tc), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V,

Список побажань
SI4442DY-T1-E3

SI4442DY-T1-E3

частина: 44342

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 15A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 22A, 10V,

Список побажань