Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - маси

Додому
Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - маси

Rohm Semiconductor

SH8K4TB1

частина: 107909

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

QS8J1TR

частина: 162895

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

QS8J11TCR

частина: 180714

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 3.5A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

SH8K2TB1

частина: 169908

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

SP8K2TB

частина: 195188

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

SH8K15TB1

частина: 137046

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

QS8K11TCR

частина: 198738

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

US6M1TR

частина: 141982

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.4A, 1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.4A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

SH8M13GZETB

частина: 173570

Тип FET: N and P-Channel, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6A, 7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

SP8J5TB

частина: 50648

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

US6M2TR

частина: 169040

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.5A, 1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.5V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

SH8M4TB1

частина: 91212

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9A, 7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

QH8KA1TCR

частина: 125338

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

QS8M13TCR

частина: 158531

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6A, 5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

SP8J2TB

частина: 2628

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

SH8M41GZETB

частина: 127920

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, 4V Drive, Слив до джерела напруги (Vdss): 80V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.4A, 2.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

QH8MA2TCR

частина: 145176

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.5A, 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

SH8K22TB1

частина: 169285

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 45V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

QS6M3TR

частина: 170246

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.5V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

QS6J1TR

частина: 160158

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

EM6K1T2R

частина: 188653

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.5V @ 100µA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

QS5K2TR

частина: 110824

Тип FET: 2 N-Channel (Dual) Common Source, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.5V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

QH8JA1TCR

частина: 135582

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.2V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

UM6K1NTN

частина: 176441

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.5V @ 100µA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

QH8MA4TCR

частина: 163064

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9A, 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

QS8M11TCR

частина: 196980

Тип FET: N and P-Channel, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.5A,

Список побажань

Rohm Semiconductor

SP8J65TB1

частина: 69246

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

SH8M12TB1

частина: 181504

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5A, 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

QS8J12TCR

частина: 145360

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

SH8J31GZETB

частина: 96459

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

SH8J62TB1

частина: 138723

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

EM6M1T2R

частина: 166276

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100mA, 200mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V,

Список побажань

Rohm Semiconductor

QS6K21TR

частина: 129283

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 45V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1A, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.5V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

EM6M2T2R

частина: 127455

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 200mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 200mA, 4V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 1mA,

Список побажань

178

«
1
2
3
4
5
»