Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - маси | Дискретні напівпровідникові вироби | 5

SP8M2FU6TB

частина: 156997

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

MP6K31TR

частина: 2806

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

SP8M5FU6TB

частина: 3289

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6A, 7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

SP8M8TB

частина: 3276

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6A, 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

MP6M12TCR

частина: 2901

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

SP8J1TB

частина: 2724

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

SP8K22FU6TB

частина: 115178

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 45V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

VT6K1T2CR

частина: 166434

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, 1.2V Drive, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 100µA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

SP8M70TB1

частина: 89658

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 250V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3A, 2.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63 Ohm @ 1.5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 4V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

QS8K51TR

частина: 139893

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2A,

Список побажань

Rohm Semiconductor

QH8MA3TCR

частина: 185267

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7A, 5.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

SH8K12TB1

частина: 185191

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

UM6K34NTCN

частина: 167601

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, 0.9V Drive, Слив до джерела напруги (Vdss): 50V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 200mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 800mV @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

SH8M24TB1

частина: 112720

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 45V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.5A, 3.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

UM6J1NTN

частина: 145064

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 200mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 200mA, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

QS8J13TR

частина: 157844

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 5.5A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

SH8M11TB1

частина: 138257

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

EM6K34T2CR

частина: 122186

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, 0.9V Drive, Слив до джерела напруги (Vdss): 50V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 200mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 800mV @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

QS6J11TR

частина: 168987

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

EM6K7T2R

частина: 107116

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 200mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 200mA, 2.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

QS8K2TR

частина: 107158

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 3.5A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.5V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

QS6J3TR

частина: 190781

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

UM6K31NTN

частина: 169406

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 250mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 250mA, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.3V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

SP8J66TB1

частина: 59328

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9A,

Список побажань

Rohm Semiconductor

SH8M2TB1

частина: 104614

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

QH8KA2TCR

частина: 115998

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

QS8J5TR

частина: 118611

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

QS8J2TR

частина: 191347

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

SH8K41GZETB

частина: 108314

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 80V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

QS8K13TCR

частина: 183897

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

SP8K31TB1

частина: 132551

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

SH8KA2GZETB

частина: 158789

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

SH8K5TB1

частина: 122471

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

QS8K21TR

частина: 194558

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 45V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

QS8M12TCR

частина: 150953

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

SH8M14TB1

частина: 116026

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9A, 7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

Список побажань