Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - маси | Дискретні напівпровідникові вироби | 5

BSM180D12P3C007

частина: 168

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Silicon Carbide (SiC), Слив до джерела напруги (Vdss): 1200V (1.2kV), Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 180A (Tc), Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 5.6V @ 50mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

BSM300D12P2E001

частина: 201

Тип FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функція FET: Silicon Carbide (SiC), Слив до джерела напруги (Vdss): 1200V (1.2kV), Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 300A (Tc), Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 4V @ 68mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

BSM080D12P2C008

частина: 263

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Silicon Carbide (SiC), Слив до джерела напруги (Vdss): 1200V (1.2kV), Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 80A (Tc), Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 4V @ 13.2mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

BSM120D12P2C005

частина: 258

Тип FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функція FET: Silicon Carbide (SiC), Слив до джерела напруги (Vdss): 1200V (1.2kV), Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 120A (Tc), Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.7V @ 22mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

BSM180D12P2C101

частина: 243

Тип FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функція FET: Silicon Carbide (SiC), Слив до джерела напруги (Vdss): 1200V (1.2kV), Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 204A (Tc), Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 4V @ 35.2mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

VT6J1T2CR

частина: 168368

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, 1.2V Drive, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 100µA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

EM6K31T2R

частина: 181152

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 250mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 250mA, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.3V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

EM6K31GT2R

частина: 153168

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 250mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 250mA, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.3V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

VT6M1T2CR

частина: 125142

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, 1.2V Drive, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 100µA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

EM6J1T2R

частина: 109230

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 200mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 100µA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

TT8J13TCR

частина: 181566

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

US6J11TR

частина: 145887

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 1.3A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

TT8J11TCR

частина: 175857

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 3.5A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

SP8M24FRATB

частина: 109

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 45V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.5A (Ta), 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 4.5A, 10V, 63 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

SP8M51FRATB

частина: 152

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3A (Ta), 2.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 3A, 10V, 290 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

TT8M3TR

частина: 154779

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.5A, 2.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

HP8KA1TB

частина: 113065

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 14A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 10mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

SP8K22FRATB

частина: 87

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 45V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

SP8K33FRATB

частина: 149

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

TT8K1TR

частина: 171251

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

TT8K11TCR

частина: 195555

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, 4V Drive, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1A,

Список побажань

Rohm Semiconductor

SP8K52FRATB

частина: 115

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

TT8J3TR

частина: 193760

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

SP8K32FRATB

частина: 80

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

HP8S36TB

частина: 130641

Тип FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 27A, 80A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 32A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

US6K1TR

частина: 126806

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.5V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

US6M2GTR

частина: 127

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.5A, 1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.5A, 4.5V, 390 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.5V @ 1mA, 2V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

HS8K11TB

частина: 188805

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7A, 11A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

TT8K2TR

частина: 164928

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.5V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

TT8M2TR

частина: 126279

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.5V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

SP8M5FRATB

частина: 154

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6A (Ta), 7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, 28 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

SP8M6FRATB

частина: 153

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5A (Ta), 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V, 90 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

SP8M21FRATB

частина: 70

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 45V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6A (Ta), 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6A, 10V, 46 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

SP8K24FRATB

частина: 123

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 45V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

TT8J2TR

частина: 170382

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

Список побажань

Rohm Semiconductor

US6K2TR

частина: 124293

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.4A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

Список побажань