Транзистори - біполярні (BJT) - масиви, попередньо

Додому
Транзистори - біполярні (BJT) - масиви, попередньо

Rohm Semiconductor

UMH6NTR

частина: 126310

Транзисторний тип: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Список побажань

Rohm Semiconductor

EMB11FHAT2R

частина: 21610

Транзисторний тип: 2 PNP Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Список побажань

Rohm Semiconductor

UMH14NTR

частина: 164095

Транзисторний тип: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Список побажань

Rohm Semiconductor

EMF24T2R

частина: 120332

Транзисторний тип: 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, 150mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V,

Список побажань

Rohm Semiconductor

IMH1AT110

частина: 134484

Транзисторний тип: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 22 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Список побажань

Rohm Semiconductor

UMB9NTN

частина: 166683

Транзисторний тип: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Список побажань

Rohm Semiconductor

FMC3AT148

частина: 100804

Транзисторний тип: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Список побажань

Rohm Semiconductor

UMB1NTN

частина: 179097

Транзисторний тип: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 22 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Список побажань

Rohm Semiconductor

UMF5NTR

частина: 165147

Транзисторний тип: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, 12V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V,

Список побажань

Rohm Semiconductor

IMD16AT108

частина: 131676

Транзисторний тип: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 100 kOhms, 2.2 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 22 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 82 @ 50mA, 5V,

Список побажань

Rohm Semiconductor

IMD10AT108

частина: 169443

Транзисторний тип: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, 100 Ohms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V,

Список побажань

Rohm Semiconductor

UMB8NTR

частина: 142777

Транзисторний тип: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Список побажань

Rohm Semiconductor

IMH5AT108

частина: 102684

Транзисторний тип: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 22 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Список побажань

Rohm Semiconductor

UMG8NTR

частина: 155757

Транзисторний тип: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Список побажань

Rohm Semiconductor

EMB2T2R

частина: 155232

Транзисторний тип: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Список побажань

Rohm Semiconductor

UMF21NTR

частина: 181499

Транзисторний тип: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, 12V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V,

Список побажань

Rohm Semiconductor

IMD14T108

частина: 107296

Транзисторний тип: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 220 Ohms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 5V,

Список побажань

Rohm Semiconductor

IMD1AT108

частина: 144421

Транзисторний тип: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Список побажань

Rohm Semiconductor

EMF21T2R

частина: 179260

Транзисторний тип: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, 12V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V,

Список побажань

Rohm Semiconductor

EMF22T2R

частина: 1487

Транзисторний тип: 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, 12V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V,

Список побажань

Rohm Semiconductor

EMH9FHAT2R

частина: 21662

Транзисторний тип: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Список побажань

Rohm Semiconductor

FMG9AT248

частина: 1454

Транзисторний тип: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Список побажань

Rohm Semiconductor

UMC5NTR

частина: 188440

Транзисторний тип: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, 4.7 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V,

Список побажань

Rohm Semiconductor

EMH9T2R

частина: 199722

Транзисторний тип: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Список побажань

Rohm Semiconductor

UMB6NTR

частина: 185942

Транзисторний тип: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Список побажань

Rohm Semiconductor

UMG9NTR

частина: 117666

Транзисторний тип: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Список побажань

Rohm Semiconductor

EMA11T2R

частина: 175669

Транзисторний тип: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Список побажань

Rohm Semiconductor

UMD3NTR

частина: 185071

Транзисторний тип: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Список побажань

Rohm Semiconductor

UMH9NTN

частина: 156300

Транзисторний тип: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Список побажань

Rohm Semiconductor

UMD5NTR

частина: 173235

Транзисторний тип: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, 4.7 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V,

Список побажань

Rohm Semiconductor

EMG8T2R

частина: 168622

Транзисторний тип: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Список побажань

Rohm Semiconductor

IMH8AT108

частина: 120428

Транзисторний тип: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Список побажань

Rohm Semiconductor

IMH6AT108

частина: 151699

Транзисторний тип: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Список побажань

Rohm Semiconductor

UMC2NTR

частина: 107395

Транзисторний тип: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 22 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Список побажань

Rohm Semiconductor

EMF17T2R

частина: 126849

Транзисторний тип: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, 150mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 2.2 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V,

Список побажань

Rohm Semiconductor

EMH15T2R

частина: 102823

Транзисторний тип: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Список побажань

187

«
1
2
3
4
5
6
»