Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Транзистори - біполярні (BJT) - масиви, попередньо

  • Додому
  •  
  • Транзистори - біполярні (BJT) - масиви, попередньо
UMA7NTR
Rohm Semiconductor

UMA7NTR

частина: 129653

Транзисторний тип: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Список побажань
IMH14AT108
Rohm Semiconductor

IMH14AT108

частина: 107353

Транзисторний тип: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Список побажань
FMC4AT148
Rohm Semiconductor

FMC4AT148

частина: 196721

Транзисторний тип: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Список побажань
IMB10AT110
Rohm Semiconductor

IMB10AT110

частина: 104256

Транзисторний тип: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Список побажань
UMG7NTR
Rohm Semiconductor

UMG7NTR

частина: 171953

Транзисторний тип: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Список побажань
UMG5NTR
Rohm Semiconductor

UMG5NTR

частина: 135653

Транзисторний тип: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Список побажань
UMG3NTR
Rohm Semiconductor

UMG3NTR

частина: 105735

Транзисторний тип: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Список побажань
FMG8AT148
Rohm Semiconductor

FMG8AT148

частина: 126362

Транзисторний тип: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Список побажань
FMA4AT148
Rohm Semiconductor

FMA4AT148

частина: 163445

Транзисторний тип: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Список побажань
UMD2NTR
Rohm Semiconductor

UMD2NTR

частина: 155901

Транзисторний тип: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 22 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Список побажань
EMB75T2R
Rohm Semiconductor

EMB75T2R

частина: 114764

Транзисторний тип: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Список побажань
UMB2NTN
Rohm Semiconductor

UMB2NTN

частина: 156135

Транзисторний тип: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Список побажань
UMF4NTR
Rohm Semiconductor

UMF4NTR

частина: 103434

Транзисторний тип: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, 12V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 2.2 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V,

Список побажань
EMH11T2R
Rohm Semiconductor

EMH11T2R

частина: 139191

Транзисторний тип: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Список побажань
IMB7AT108
Rohm Semiconductor

IMB7AT108

частина: 101199

Транзисторний тип: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Список побажань
UMA8NTR
Rohm Semiconductor

UMA8NTR

частина: 148827

Транзисторний тип: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Список побажань
IMD8AT108
Rohm Semiconductor

IMD8AT108

частина: 120661

Транзисторний тип: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Список побажань
EMD22T2R
Rohm Semiconductor

EMD22T2R

частина: 139039

Транзисторний тип: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Список побажань
UMH10NTN
Rohm Semiconductor

UMH10NTN

частина: 131373

Транзисторний тип: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Список побажань
FMC5AT148
Rohm Semiconductor

FMC5AT148

частина: 133056

Транзисторний тип: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, 4.7 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V, 30 @ 10mA, 5V,

Список побажань
UMF24NTR
Rohm Semiconductor

UMF24NTR

частина: 1553

Транзисторний тип: 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, 150mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Список побажань
IMH10AT110
Rohm Semiconductor

IMH10AT110

частина: 162433

Транзисторний тип: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Список побажань
UMH5NTR
Rohm Semiconductor

UMH5NTR

частина: 167920

Транзисторний тип: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 22 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Список побажань
IMB1AT110
Rohm Semiconductor

IMB1AT110

частина: 165612

Транзисторний тип: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 22 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Список побажань
EMF8T2R
Rohm Semiconductor

EMF8T2R

частина: 141214

Транзисторний тип: 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, 12V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V,

Список побажань
UMA6NTR
Rohm Semiconductor

UMA6NTR

частина: 189115

Транзисторний тип: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Список побажань
FMG9AT148
Rohm Semiconductor

FMG9AT148

частина: 128270

Транзисторний тип: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Список побажань
EMB9T2R
Rohm Semiconductor

EMB9T2R

частина: 125579

Транзисторний тип: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Список побажань
FMA8AT148
Rohm Semiconductor

FMA8AT148

частина: 150483

Транзисторний тип: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Список побажань
IMH15AT110
Rohm Semiconductor

IMH15AT110

частина: 127549

Транзисторний тип: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Список побажань
IMB5AT108
Rohm Semiconductor

IMB5AT108

частина: 138435

Транзисторний тип: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 22 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Список побажань
FMA10AT148
Rohm Semiconductor

FMA10AT148

частина: 163551

Транзисторний тип: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 1 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V,

Список побажань
EMF5T2R
Rohm Semiconductor

EMF5T2R

частина: 141924

Транзисторний тип: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, 12V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V,

Список побажань
EMH2T2R
Rohm Semiconductor

EMH2T2R

частина: 167139

Транзисторний тип: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Список побажань
EMD2T2R
Rohm Semiconductor

EMD2T2R

частина: 191462

Транзисторний тип: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 22 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Список побажань
EMH6T2R
Rohm Semiconductor

EMH6T2R

частина: 192288

Транзисторний тип: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Список побажань