Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Транзистори - біполярні (BJT) - одинарні

  • Додому
  •  
  • Транзистори - біполярні (BJT) - одинарні
BC638ZL1G
ON Semiconductor

BC638ZL1G

частина: 5227

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

Список побажань
BC635RL1G
ON Semiconductor

BC635RL1G

частина: 5205

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

Список побажань
BC558CZL1
ON Semiconductor

BC558CZL1

частина: 5239

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Список побажань
BC635ZL1
ON Semiconductor

BC635ZL1

частина: 5199

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

Список побажань
BC548BRL1
ON Semiconductor

BC548BRL1

частина: 5198

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Список побажань
BC489RL1G
ON Semiconductor

BC489RL1G

частина: 5240

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 2V,

Список побажань
BC487BRL1
ON Semiconductor

BC487BRL1

частина: 5220

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 2V,

Список побажань
BC488BRL1G
ON Semiconductor

BC488BRL1G

частина: 5255

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 2V,

Список побажань
BC489AZL1G
ON Semiconductor

BC489AZL1G

частина: 5169

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V,

Список побажань
BC337ZL1
ON Semiconductor

BC337ZL1

частина: 5744

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Список побажань
BC337ZL1G
ON Semiconductor

BC337ZL1G

частина: 5185

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Список побажань
BC337-16RL1
ON Semiconductor

BC337-16RL1

частина: 6524

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Список побажань
BC327-016G
ON Semiconductor

BC327-016G

частина: 5200

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Список побажань
BC327-040
ON Semiconductor

BC327-040

частина: 5196

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V,

Список побажань
BC212BG
ON Semiconductor

BC212BG

частина: 5202

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 60 @ 2mA, 5V,

Список побажань
BC182BRL1
ON Semiconductor

BC182BRL1

частина: 6615

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V,

Список побажань
BC81725MTF
ON Semiconductor

BC81725MTF

частина: 148925

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

Список побажань
BCX70H_D87Z
ON Semiconductor

BCX70H_D87Z

частина: 5135

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 20nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V,

Список побажань
BC183_D75Z
ON Semiconductor

BC183_D75Z

частина: 5131

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 10µA, 5V,

Список побажань
BC184LC_D27Z
ON Semiconductor

BC184LC_D27Z

частина: 5198

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 130 @ 100mA, 5V,

Список побажань
BC308C
ON Semiconductor

BC308C

частина: 5152

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 25V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V,

Список побажань
BC327A
ON Semiconductor

BC327A

частина: 6564

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Список побажань
BC546_J18Z
ON Semiconductor

BC546_J18Z

частина: 5176

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 65V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Список побажань
BC184LC
ON Semiconductor

BC184LC

частина: 5139

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 130 @ 100mA, 5V,

Список побажань
BCX71K_D87Z
ON Semiconductor

BCX71K_D87Z

частина: 5144

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 20nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V,

Список побажань
BC637_L34Z
ON Semiconductor

BC637_L34Z

частина: 5214

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

Список побажань
BC368_D26Z
ON Semiconductor

BC368_D26Z

частина: 5203

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 20V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V,

Список побажань
BC214L_D26Z
ON Semiconductor

BC214L_D26Z

частина: 6610

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 140 @ 2mA, 5V,

Список побажань
BC558TAR
ON Semiconductor

BC558TAR

частина: 5202

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Список побажань
BC557TFR
ON Semiconductor

BC557TFR

частина: 5169

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Список побажань
BD1406STU
ON Semiconductor

BD1406STU

частина: 5149

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

Список побажань
BC557BU
ON Semiconductor

BC557BU

частина: 5138

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Список побажань
BC308ABU
ON Semiconductor

BC308ABU

частина: 5157

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 25V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V,

Список побажань
BD538KTU
ON Semiconductor

BD538KTU

частина: 5133

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 8A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 800mV @ 600mA, 6A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 2A, 2V,

Список побажань
BD538K
ON Semiconductor

BD538K

частина: 5129

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 8A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 800mV @ 600mA, 6A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 2A, 2V,

Список побажань
BD533J
ON Semiconductor

BD533J

частина: 5131

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 8A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 2V,

Список побажань