Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Транзистори - біполярні (BJT) - одинарні

  • Додому
  •  
  • Транзистори - біполярні (BJT) - одинарні
BD244A
ON Semiconductor

BD244A

частина: 189127

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 6A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 6A, Струм - відсікання колектора (макс.): 700µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V,

Список побажань
BDX53BG
ON Semiconductor

BDX53BG

частина: 183172

Транзисторний тип: NPN - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 8A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 500µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V,

Список побажань
BD135G
ON Semiconductor

BD135G

частина: 128554

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

Список побажань
BU406G
ON Semiconductor

BU406G

частина: 65392

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 7A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 200V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 5mA,

Список побажань
BDX54BG
ON Semiconductor

BDX54BG

частина: 81401

Транзисторний тип: PNP - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 8A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 500µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V,

Список побажань
BD681S
ON Semiconductor

BD681S

частина: 107750

Транзисторний тип: NPN - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 500µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V,

Список побажань
BD13910S
ON Semiconductor

BD13910S

частина: 149489

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

Список побажань
BDX33BG
ON Semiconductor

BDX33BG

частина: 81448

Транзисторний тип: NPN - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 500µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V,

Список побажань
BD809G
ON Semiconductor

BD809G

частина: 74770

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.1V @ 300mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1mA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V,

Список побажань
BDW46G
ON Semiconductor

BDW46G

частина: 77908

Транзисторний тип: PNP - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 15A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 50mA, 10A, Струм - відсікання колектора (макс.): 2mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V,

Список побажань
BD242BG
ON Semiconductor

BD242BG

частина: 116726

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 300µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V,

Список побажань
BUT11AFTU
ON Semiconductor

BUT11AFTU

частина: 77085

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 450V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 2.5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1mA,

Список побажань
BD679AG
ON Semiconductor

BD679AG

частина: 106187

Транзисторний тип: NPN - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 500µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V,

Список побажань
BD788G
ON Semiconductor

BD788G

частина: 159272

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 800mA, 4A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 3V,

Список побажань
BD676AG
ON Semiconductor

BD676AG

частина: 122105

Транзисторний тип: PNP - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 500µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V,

Список побажань
BU323ZG
ON Semiconductor

BU323ZG

частина: 26349

Транзисторний тип: NPN - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 350V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.7V @ 250mA, 10A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 500 @ 5A, 4.6V,

Список побажань
BD437TG
ON Semiconductor

BD437TG

частина: 103977

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V,

Список побажань
BD139G
ON Semiconductor

BD139G

частина: 130827

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

Список побажань
BD678AG
ON Semiconductor

BD678AG

частина: 106804

Транзисторний тип: PNP - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 500µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V,

Список побажань
BD135TG
ON Semiconductor

BD135TG

частина: 148462

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

Список побажань
BF721T1G
ON Semiconductor

BF721T1G

частина: 125779

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 300V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 800mV @ 5mA, 30mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V,

Список побажань
BUT11ATU
ON Semiconductor

BUT11ATU

частина: 173616

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 450V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 2.5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1mA,

Список побажань
BD242CG
ON Semiconductor

BD242CG

частина: 103152

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 300µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V,

Список побажань
BDW47G
ON Semiconductor

BDW47G

частина: 77962

Транзисторний тип: PNP - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 15A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 50mA, 10A, Струм - відсікання колектора (макс.): 2mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V,

Список побажань
BD435G
ON Semiconductor

BD435G

частина: 124139

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 32V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V,

Список побажань
BUT11A
ON Semiconductor

BUT11A

частина: 140873

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 450V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 2.5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1mA,

Список побажань
BDX53CTU
ON Semiconductor

BDX53CTU

частина: 95177

Транзисторний тип: NPN - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 8A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 500µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V,

Список побажань
BC547BBU
ON Semiconductor

BC547BBU

частина: 193542

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Список побажань
BDW93C
ON Semiconductor

BDW93C

частина: 67206

Транзисторний тип: NPN - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 12A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 750 @ 5A, 3V,

Список побажань
BD442G
ON Semiconductor

BD442G

частина: 180422

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V,

Список побажань
BD679AS
ON Semiconductor

BD679AS

частина: 114461

Транзисторний тип: NPN - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 500µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V,

Список побажань
BD439G
ON Semiconductor

BD439G

частина: 144638

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V,

Список побажань
BDX34CG
ON Semiconductor

BDX34CG

частина: 83306

Транзисторний тип: PNP - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 500µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V,

Список побажань
BD234G
ON Semiconductor

BD234G

частина: 196201

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V,

Список побажань
BD433S
ON Semiconductor

BD433S

частина: 114475

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 22V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 5V,

Список побажань
BD680G
ON Semiconductor

BD680G

частина: 163944

Транзисторний тип: PNP - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 500µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V,

Список побажань