Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 10V ~ 20V, Логічна напруга - VIL, VIH: 4.5V, 9.5V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Synchronous, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 10V ~ 13.5V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 10V ~ 22V, Логічна напруга - VIL, VIH: 1.2V, 2.5V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Synchronous, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 6.5V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Synchronous, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 10V ~ 13.2V, Логічна напруга - VIL, VIH: 1V, 2V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: 3-Phase, Кількість водіїв: 6, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 10V ~ 20V, Логічна напруга - VIL, VIH: 1V, 2.5V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Synchronous, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.6V ~ 13.2V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
Керована конфігурація: High-Side, Тип каналу: Single, Кількість водіїв: 1, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 10V ~ 20V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.9V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 10V ~ 20V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.9V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 10V ~ 20V, Логічна напруга - VIL, VIH: 1.2V, 2.5V,
Керована конфігурація: High-Side, Тип каналу: Single, Кількість водіїв: 1, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 10V ~ 20V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 11V ~ 20V, Логічна напруга - VIL, VIH: 1.2V, 2.5V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: 3-Phase, Кількість водіїв: 6, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 10V ~ 20V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
Керована конфігурація: High-Side, Тип каналу: Single, Кількість водіїв: 1, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 10V ~ 20V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 6.5V ~ 18V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.6V,
Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Single, Кількість водіїв: 1, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 7V ~ 10V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Synchronous, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 8V ~ 14V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 10V ~ 20V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 6.1V ~ 18V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.6V,
Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Single, Кількість водіїв: 1, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 11V ~ 20V, Логічна напруга - VIL, VIH: 1.2V, 3.2V,
Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Single, Кількість водіїв: 1, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 18V,
Керована конфігурація: High-Side, Тип каналу: Single, Кількість водіїв: 1, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 10V ~ 20V, Логічна напруга - VIL, VIH: 1V, 3.6V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Synchronous, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 10V ~ 20V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
