Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Пам'ять

CAT28C16AW-12T
ON Semiconductor

CAT28C16AW-12T

частина: 5713

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 16Kb (2K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5ms,

Список побажань
CAT28C512G12
ON Semiconductor

CAT28C512G12

частина: 698

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 512Kb (64K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5ms,

Список побажань
CAT28F001G-12B
ON Semiconductor

CAT28F001G-12B

частина: 831

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH, Обсяг пам'яті: 1Mb (128K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 120ns,

Список побажань
CAT93C66YI-G
ON Semiconductor

CAT93C66YI-G

частина: 165267

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 4Kb (512 x 8, 256 x 16), Тактова частота: 2MHz,

Список побажань
CAT28F001G-90B
ON Semiconductor

CAT28F001G-90B

частина: 846

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH, Обсяг пам'яті: 1Mb (128K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 90ns,

Список побажань
CAT28F010G12
ON Semiconductor

CAT28F010G12

частина: 864

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH, Обсяг пам'яті: 1Mb (128K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 120ns,

Список побажань
CAT28C16ALI12
ON Semiconductor

CAT28C16ALI12

частина: 436

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 16Kb (2K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5ms,

Список побажань
N02L83W2AN25I
ON Semiconductor

N02L83W2AN25I

частина: 6489

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 2Mb (256K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

Список побажань
CAT28F001HI-12T
ON Semiconductor

CAT28F001HI-12T

частина: 6323

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH, Обсяг пам'яті: 1Mb (128K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 120ns,

Список побажань
CAT24C44VI-GT3
ON Semiconductor

CAT24C44VI-GT3

частина: 5806

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 256b (16 x 16), Тактова частота: 1MHz,

Список побажань
CAT28C256LI15
ON Semiconductor

CAT28C256LI15

частина: 628

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 256Kb (32K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5ms,

Список побажань
CAT28C256GI-12T
ON Semiconductor

CAT28C256GI-12T

частина: 5955

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 256Kb (32K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5ms,

Список побажань
CAT28F001L-12T
ON Semiconductor

CAT28F001L-12T

частина: 891

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH, Обсяг пам'яті: 1Mb (128K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 120ns,

Список побажань
CAT28F001G-12TT
ON Semiconductor

CAT28F001G-12TT

частина: 830

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH, Обсяг пам'яті: 1Mb (128K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 120ns,

Список побажань
CAT24C64VP2I-GT3
ON Semiconductor

CAT24C64VP2I-GT3

частина: 6110

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 64Kb (8K x 8), Тактова частота: 1MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5ms,

Список побажань
CAT28C16AG-20T
ON Semiconductor

CAT28C16AG-20T

частина: 444

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 16Kb (2K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ms,

Список побажань
CAT28C16AGI-12T
ON Semiconductor

CAT28C16AGI-12T

частина: 5952

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 16Kb (2K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5ms,

Список побажань
CAT25640VP2I-GT3
ON Semiconductor

CAT25640VP2I-GT3

частина: 6146

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 64Kb (8K x 8), Тактова частота: 10MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5ms,

Список побажань
N02L63W2AB25I
ON Semiconductor

N02L63W2AB25I

частина: 6666

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 2Mb (128K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

Список побажань
CAT28F001GI-12TT
ON Semiconductor

CAT28F001GI-12TT

частина: 6081

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH, Обсяг пам'яті: 1Mb (128K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 120ns,

Список побажань
CAT28C64BL90
ON Semiconductor

CAT28C64BL90

частина: 6928

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 64Kb (8K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5ms,

Список побажань
CAT24C02VP2I-GT3
ON Semiconductor

CAT24C02VP2I-GT3

частина: 284

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 2Kb (256 x 8), Тактова частота: 400kHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5ms,

Список побажань
CAT28F512L90
ON Semiconductor

CAT28F512L90

частина: 6880

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH, Обсяг пам'яті: 512Kb (64K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 90ns,

Список побажань
CAT24AA01WI-GT3
ON Semiconductor

CAT24AA01WI-GT3

частина: 5870

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 1Kb (128 x 8), Тактова частота: 1MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5ms,

Список побажань
CAT28C512L15
ON Semiconductor

CAT28C512L15

частина: 7204

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 512Kb (64K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5ms,

Список побажань
CAT28F512GI-90T
ON Semiconductor

CAT28F512GI-90T

частина: 1124

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH, Обсяг пам'яті: 512Kb (64K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 90ns,

Список побажань
N02L63W2AT25I
ON Semiconductor

N02L63W2AT25I

частина: 6540

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 2Mb (128K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

Список побажань
CAT28C16AGI90
ON Semiconductor

CAT28C16AGI90

частина: 6712

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 16Kb (2K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5ms,

Список побажань
CAT24AA04WI-G
ON Semiconductor

CAT24AA04WI-G

частина: 7082

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 4Kb (512 x 8), Тактова частота: 1MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5ms,

Список побажань
CAT24C03LI-G
ON Semiconductor

CAT24C03LI-G

частина: 159235

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 2Kb (256 x 8), Тактова частота: 400kHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5ms,

Список побажань
CAT24C44VI-G
ON Semiconductor

CAT24C44VI-G

частина: 7000

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 256b (16 x 16), Тактова частота: 1MHz,

Список побажань
CAT28C64BX-12T
ON Semiconductor

CAT28C64BX-12T

частина: 7650

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 64Kb (8K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5ms,

Список побажань
CAT28C64BGI12
ON Semiconductor

CAT28C64BGI12

частина: 755

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 64Kb (8K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5ms,

Список побажань
CAT28C64BH13I12
ON Semiconductor

CAT28C64BH13I12

частина: 6475

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 64Kb (8K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5ms,

Список побажань
CAT28C64BXI12
ON Semiconductor

CAT28C64BXI12

частина: 6884

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 64Kb (8K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5ms,

Список побажань
N02L63W3AB25IT
ON Semiconductor

N02L63W3AB25IT

частина: 5632

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 2Mb (128K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

Список побажань