Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - один

NTMFS4C08NT1G

частина: 111511

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9A (Ta), 52A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 18A, 10V,

NTHS5404T1G

частина: 153152

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.2A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5.2A, 4.5V,

FDP18N50

частина: 31773

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 18A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265 mOhm @ 9A, 10V,

FDMS7556S

частина: 54826

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 25V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 35A (Ta), 49A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 mOhm @ 35A, 10V,

MGSF2N02ELT1G

частина: 117016

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.8A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 3.6A, 4.5V,

MCH6444-TL-H

частина: 1175

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 35V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.5A (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 1.5A, 10V,

NSTR4501NT1G

частина: 1354

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3.6A, 4.5V,

NTMFS4C03NT1G

частина: 170716

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 30A (Ta), 136A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 30A, 10V,

MCH6321-TL-E

частина: 9993

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83 mOhm @ 2A, 4.5V,

NTLUS3A40PZTAG

частина: 131032

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4A (Ta), Приводна напруга: 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6.4A, 4.5V,

MCH3476-TL-H

частина: 106710

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2A (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 1A, 4.5V,

NTBV75N06T4G

частина: 34577

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 37.5A, 10V,

SCH1335-TL-H

частина: 1174

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.5A (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112 mOhm @ 1A, 4.5V,

NVMSD6N303R2G

частина: 1413

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6A, 10V,

EMH1405-TL-H

частина: 6132

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8.5A (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 4A, 10V,

FDS4435BZ-F085

частина: 1148

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8.8A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8.8A, 10V,

NTLUS3C18PZTAG

частина: 164008

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.4A (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 4.5V,

FDMS9410L-F085

частина: 9907

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 50A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1 mOhm @ 50A, 10V,

NVTS4409NT1G

частина: 6142

NTLUS3A39PZTAG

частина: 190251

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.4A (Ta), Приводна напруга: 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 4A, 4.5V,

NTLJS2103PTBG

частина: 193182

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.5A (Ta), Приводна напруга: 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 3A, 4.5V,

FDPF12N50NZT

частина: 1221

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11.5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 5.75A, 10V,

MTP3055VL

частина: 12538

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 12A (Tc), Приводна напруга: 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 6A, 5V,

MCH6448-TL-H

частина: 9974

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8A (Ta), Приводна напруга: 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 4A, 4.5V,

FDMC86160ET100

частина: 66558

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9A (Ta), 43A (Tc), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9A, 10V,

NTDV5805NT4G

частина: 6209

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 51A (Tc), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 15A, 10V,

FDMS86250

частина: 54842

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 150V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6.7A (Ta), 20A (Tc), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6.7A, 10V,

FDMC8588DC

частина: 62643

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 25V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 40A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 18A, 10V,

NTMFS4926NET1G

частина: 1360

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9A (Ta), 44A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 30A, 10V,

FDMS7572S

частина: 81724

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 25V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 23A (Ta), 49A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 23A, 10V,

FQT3P20TF-SB82100

частина: 1182

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 670mA (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 Ohm @ 335mA, 10V,

FDMT80060DC

частина: 27706

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 43A (Ta), 292A (Tc), Приводна напруга: 8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 mOhm @ 43A, 10V,

FDN86246

частина: 182973

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 150V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.6A (Ta), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 261 mOhm @ 1.6A, 10V,

NTMFS4845NT1G

частина: 130972

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 13.7A (Ta), 115A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 30A, 10V,

NVMFS5C604NLAFT1G

частина: 30124

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 287A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 mOhm @ 50A, 10V,

NTLJS4114NT1G

частина: 169338

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.6A (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 2A, 4.5V,