Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - один

NVMFS5C468NLWFT3G

частина: 162536

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3 mOhm @ 20A, 10V,

NTMFS4C56NT1G

частина: 123350

MCH6431-P-TL-H

частина: 5649

NDD01N60T4G

частина: 1829

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 Ohm @ 200mA, 10V,

FDBL86561-F085

частина: 8688

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 300A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 mOhm @ 80A, 10V,

NTLUS3A39PZCTAG

частина: 2065

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.4A (Ta), Приводна напруга: 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 4A, 4.5V,

FDME430NT

частина: 1781

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6A (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 6A, 4.5V,

NVMFS5C442NLT3G

частина: 158927

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 27A (Ta), 127A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 50A, 10V,

FDB8160-F085

частина: 1780

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 80A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 80A, 10V,

NTTFS4C53NTAG

частина: 167105

NTF2955T1G

частина: 189675

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.7A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185 mOhm @ 2.4A, 10V,

FDP3632

частина: 22509

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 12A (Ta), 80A (Tc), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 80A, 10V,

NDD02N40T4G

частина: 108195

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 400V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.7A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 Ohm @ 220mA, 10V,

NVMFS5C456NLT3G

частина: 167536

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 20A, 10V,

NVMFS5C423NLWFT1G

частина: 121213

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 31A (Ta), 150A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 50A, 10V,

EMH1405-P-TL-H

частина: 1858

NTMFS4C58NT1G

частина: 130544

NVMFS5826NLWFT3G

частина: 173896

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 10A, 10V,

NVMFS5C450NWFT1G

частина: 147975

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 50A, 10V,

NVMFS6B05NT3G

частина: 37222

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,

SCH1433-TL-W

частина: 2005

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.5A (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

NVMFS6B03NWFT1G

частина: 18925

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 20A, 10V,

NVMFS5C646NLT1G

частина: 96678

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A (Ta), 93A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 50A, 10V,

NVMFS5C460NLT3G

частина: 182010

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 35A, 10V,

NTMFS4C10NT1G-001

частина: 1995

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8.2A (Ta), 46A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.95 mOhm @ 30A, 10V,

NDPL180N10BG

частина: 1912

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 180A (Ta), Приводна напруга: 10V, 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 15V, 50A,

NVMFS5C670NLWFT1G

частина: 109908

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 17A (Ta), 71A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1 mOhm @ 35A, 10V,

NDBA100N10BT4H

частина: 1986

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Ta), Приводна напруга: 10V, 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9 mOhm @ 50A, 15V,

NTTFS4C56NTWG

частина: 149720

NVMFS5C673NLT1G

частина: 157290

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2 mOhm @ 25A, 10V,

NTMFS4C53NT3G

частина: 178830

HUFA76645S3ST-F085

частина: 1829

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 75A, 10V,

NVMFS6B14NT3G

частина: 93186

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 20A, 10V,

CPH3455-TL-W

частина: 152633

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 35V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3A (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104 mOhm @ 1.5A, 10V,

MCH6320-TL-W

частина: 2007

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.5A (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

NVMFS5C442NT1G

частина: 140961

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 50A, 10V,