Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - один

FCPF600N60ZL1

частина: 310

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7.4A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.7A, 10V,

NTMFS5C442NT3G

частина: 93160

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 29A (Ta), 140A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 50A, 10V,

FQA90N15

частина: 17618

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 150V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 90A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 45A, 10V,

FDP39N20

частина: 41431

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 39A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66 mOhm @ 19.5A, 10V,

NTTFS4C25NTWG

частина: 112363

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5A (Ta), 27A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 10A, 10V,

FCB110N65F

частина: 17278

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 35A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 17.5A, 10V,

NTMFS4C50NT1G

частина: 147995

FCMT180N65S3

частина: 283

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 17A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 8.5A, 10V,

NDUL03N150CG

частина: 33613

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.5A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 Ohm @ 1.25A, 10V,

FDC021N30

частина: 192036

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6.1A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 6.1A, 10V,

FCH22N60N

частина: 23257

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 22A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 11A, 10V,

NTP5860NG

частина: 40260

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 220A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 75A, 10V,

FCH072N60

частина: 7310

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 52A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 26A, 10V,

NTMFS4C13NT3G

частина: 114762

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7.2A (Ta), 38A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1 mOhm @ 30A, 10V,

FCB070N65S3

частина: 18217

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 44A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 22A, 10V,

FDWS86369-F085

частина: 295

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 80V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 65A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 65A, 10V,

FDMT800100DC

частина: 20488

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 24A (Ta), 162A (Tc), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95 mOhm @ 24A, 10V,

FDG332PZ

частина: 114450

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.6A (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 2.6A, 4.5V,

FDC8601

частина: 146390

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.7A (Ta), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109 mOhm @ 2.7A, 10V,

FDA18N50

частина: 23480

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 19A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265 mOhm @ 9.5A, 10V,

FCB11N60TM

частина: 37383

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 5.5A, 10V,

NVMFS5C628NLWFAFT1G

частина: 64070

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 28A (Ta), 150A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 50A, 10V,

FCPF250N65S3R0L

частина: 303

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 12A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 6A, 10V,

FDMS8622

частина: 191317

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.8A (Ta), 16.5A (Tc), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 4.8A, 10V,

NTTFS5C453NLTWG

частина: 143286

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 23A (Ta), 107A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 40A, 10V,

FCH47N60F-F133

частина: 342

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 47A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 23.5A, 10V,

NTTFS4H05NTWG

частина: 118396

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 25V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 22.4A (Ta), 94A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 30A, 10V,

FCH47N60NF

частина: 6414

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 45.8A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 23.5A, 10V,

FDMS7660

частина: 110889

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 25A (Ta), 42A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 25A, 10V,

FDH45N50F-F133

частина: 1027

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 45A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 22.5A, 10V,

NVMFS5C468NWFT1G

частина: 285

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 12A (Ta), 35A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 10A, 10V,

FDC637AN

частина: 98993

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6.2A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 6.2A, 4.5V,

FCP165N65S3R0

частина: 367

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 19A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 9.5A, 10V,

FDD86250-F085

частина: 392

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 150V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 50A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 20A, 10V,

FDMS86252

частина: 89698

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 150V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.6A (Ta), 16A (Tc), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 4.6A, 10V,

NVMFS5C426NWFAFT1G

частина: 91737

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 41A (Ta), 235A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 mOhm @ 50A, 10V,