Пам'ять

DS2704G+

частина: 4857

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 1.25Kb (32 Bytes x 5 pages),

DS1270W-150#

частина: 2684

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 16Mb (2M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 150ns,

DS1258Y-70IND#

частина: 2709

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 2Mb (128K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

DS2433Y-Z01/T&R

частина: 1660

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 4Kb (256 x 16),

DS1250BL-70-IND

частина: 1399

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

DS1245YL-70

частина: 1378

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 1Mb (128K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

DS2050W-100#

частина: 44

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 100ns,

DS1258W-100

частина: 1330

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 2Mb (128K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 100ns,

DS2030Y-100#

частина: 9962

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 256Kb (32K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 100ns,

DS1345YL-70IND

частина: 1359

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 1Mb (128K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

DS1201N

частина: 1200

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM, Обсяг пам'яті: 1Kb (128 x 8), Тактова частота: 4MHz,

DS1350WP-150

частина: 1438

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 150ns,

DS3050W-100#

частина: 45

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 100ns,

DS1250YL-70-IND

частина: 1530

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

DS2433X-S/T&R

частина: 1595

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 4Kb (256 x 16),

DS1250YL-70

частина: 1459

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

DS2430A/T&R

частина: 8691

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 256b (32 x 8),

DS2431X+U

частина: 2715

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 1Kb (256 x 4),

DS1245XP-70IND+

частина: 2686

DS1245X-70IND+

частина: 2657

DS1245X-70+

частина: 2657

DS1245XP-70+

частина: 2680

DS2431GA+U

частина: 4442

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 1Kb (256 x 4),

DS24B33Q+U

частина: 2741

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 4Kb (256 x 16),

DS3065WP-100IND+

частина: 5888

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 8Mb (1M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 100ns,

DS1258AB-70IND#

частина: 1395

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 2Mb (128K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

DS2433G+T&R

частина: 1483

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 4Kb (256 x 16),

DS28DG02E-3C+T

частина: 1488

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 2Kb (256 x 8), Тактова частота: 2MHz,

DS28CZ04G-4+T

частина: 1553

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 4Kb (512 x 8), Тактова частота: 400kHz,

DS28CZ04G-4+

частина: 1471

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 4Kb (512 x 8), Тактова частота: 400kHz,

DS2431X+

частина: 1585

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 1Kb (256 x 4),

DS28DG02G-3C+T

частина: 1459

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 2Kb (256 x 8), Тактова частота: 2MHz,

DS1258W-100IND#

частина: 1366

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 2Mb (128K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 100ns,

DS2431Q+U

частина: 1340

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 1Kb (256 x 4),

DS2433X#T

частина: 1542

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 4Kb (256 x 16),

DS2433X-S#T

частина: 1579

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 4Kb (256 x 16),