Пам'ять

DS1230Y-200IND

частина: 111

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 256Kb (32K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 200ns,

DS1230AB-70

частина: 1654

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 256Kb (32K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

DS1245Y-120IND+

частина: 1908

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 1Mb (128K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 120ns,

DS2502X1+U

частина: 6190

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EPROM, Технологія: EPROM - OTP, Обсяг пам'яті: 1Kb (128 x 8),

DS1245WP-100+

частина: 2099

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 1Mb (128K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 100ns,

DS1230YP-70+

частина: 2397

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 256Kb (32K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

DS2502R+00B

частина: 8875

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EPROM, Технологія: EPROM - OTP, Обсяг пам'яті: 1Kb (128 x 8),

DS2502R-00C+T&R

частина: 8924

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EPROM, Технологія: EPROM - OTP, Обсяг пам'яті: 1Kb (128 x 8),

DS3645B

частина: 5536

DS2433X-300-EC#TW

частина: 1461

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 4Kb (256 x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 1µs,

DS1230AB-70IND+

частина: 2589

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 256Kb (32K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

DS24B33G+U

частина: 987

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 4Kb (256 x 16),

DS28CN01U-W0D+1T-C

частина: 8899

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 1Kb (128 x 8), Тактова частота: 400kHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ms,

DS1225AB-170+

частина: 3457

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 64Kb (8K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 170ns,

DS1225Y-150+

частина: 3361

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 64Kb (8K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 150ns,

DS1345ABP-70+

частина: 2648

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 1Mb (128K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

DS1230Y-150+

частина: 2498

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 256Kb (32K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 150ns,

DS1345WP-150+

частина: 2540

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 1Mb (128K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 150ns,

DS1330WP-150+

частина: 3617

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 256Kb (32K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 150ns,

DS1330WP-100+

частина: 3660

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 256Kb (32K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 100ns,

DS2501S-UNW-111B/T&R

частина: 1413

DS1225Y-200+

частина: 3240

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 64Kb (8K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 200ns,

DS1230WP-100+

частина: 2908

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 256Kb (32K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 100ns,

DS1225Y-150IND+

частина: 3736

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 64Kb (8K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 150ns,

DS2502X1+UW

частина: 8013

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EPROM, Технологія: EPROM - OTP, Обсяг пам'яті: 1Kb (128 x 8),

DS28E10P-W22+2TW

частина: 8019

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EPROM, Технологія: EPROM - OTP, Обсяг пам'яті: 224b (28 x 8),

DS1225AD-150+

частина: 3507

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 64Kb (8K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 150ns,

DS2502AX-500-00/T&R/

частина: 5251

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EPROM, Технологія: EPROM - OTP, Обсяг пам'яті: 1Kb (128 x 8),

DS2432X-S+TW

частина: 7904

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 1Kb (1K x 1),

DS28E15X+UW

частина: 8065

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 512b (512 x 1),

DS28E07+W

частина: 8084

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 1Kb (256 x 4),

DS28E01G-100+T&R

частина: 4591

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 1Kb (256 x 4),

DS2433AX-S+TW

частина: 8012

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 4Kb (256 x 16),

DS28EL15Q-742+3TW

частина: 8078

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 512b (256 x 2),

DSQ09G5-004-740

частина: 6846

DS1225Y-200IND+

частина: 3594

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 64Kb (8K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 200ns,