Пам'ять

DS2430A-002-E1+

частина: 7073

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 256b (32 x 8),

DS2431X-S+TW

частина: 7990

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 1Kb (256 x 4),

DS28EL15Q-742+5TW

частина: 8103

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 512b (256 x 2),

DS2431P+W

частина: 9819

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 1Kb (256 x 4),

DS2433X-300-EC

частина: 4335

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 4Kb (256 x 16),

DS1225AD-170+

частина: 3928

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 64Kb (8K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 170ns,

DS28EL15Q-742+4TW

частина: 8025

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 512b (256 x 2),

DS1330WP-100IND+

частина: 3946

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 256Kb (32K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 100ns,

DS28EL35QA-742+2TW

частина: 8304

DS28EL35QA-742+2BW

частина: 8308

DS28E81P+

частина: 7025

DS28EL22Q+U

частина: 5117

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 2Kb (256 x 8),

DS28E81P+T

частина: 7096

DS2431GB+U

частина: 2829

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 1Kb (256 x 4),

DS28E15Q+U

частина: 40019

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 512b (512 x 1),

DS1220Y-150+

частина: 8206

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 16Kb (2K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 150ns,

DS28E01P-100+T

частина: 2913

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 1Kb (256 x 4),

DS28E80Q+U

частина: 2870

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 2Kb (2K x 1),

DS28E22Q+U

частина: 4686

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 2Kb (2K x 1),

DS28EL15GA+U

частина: 2899

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 512b (256 x 2),

DS28E01P-100+

частина: 2873

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 1Kb (256 x 4),

DS28E25G+U

частина: 5031

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 4Kb (4K x 1),

DS28E25Q+U

частина: 8650

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 4Kb (4K x 1),

DS28E81+T

частина: 7707

DS28E05GB+U

частина: 2895

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 896b (112 x 8),

DS1220Y-100+

частина: 8168

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 16Kb (2K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 100ns,

DS28E81+

частина: 6952

DS1201+C02

частина: 5609

DS28EL15Q-742+6TW

частина: 3734

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 512b (256 x 2),

DSQ3301-K04+TW

частина: 3732

DS1220Y-120+

частина: 3530

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 16Kb (2K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 120ns,

DS28E15G+U

частина: 9351

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 512b (512 x 1),

DS1220AB-200+

частина: 4508

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 16Kb (2K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 200ns,

DS28E05R+U

частина: 1457

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 896b (112 x 8),

DS28EL25Q+U

частина: 8052

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 4Kb (256 x 16),

DS1220Y-100IND+

частина: 2678

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 16Kb (2K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 100ns,