Пам'ять

IS61LV12824-8TQ-TR

частина: 8672

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 3Mb (128K x 24), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 8ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4, Обсяг пам'яті: 2Gb (64M x 32), Тактова частота: 533MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46TR16128C-15HBLA2

частина: 7191

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16), Тактова частота: 667MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LPS25618EC-200TQLI

частина: 8497

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (256K x 18), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43TR81280B-125JBLI

частина: 7124

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8), Тактова частота: 800MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S32800J-7BLA1

частина: 7306

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (32M x 8), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46R16320D-6TLA2-TR

частина: 6720

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46DR16320C-3DBLA2-TR

частина: 7266

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 333MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43R86400D-6BLI

частина: 7223

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43TR82560CL-125KBLI

частина: 84

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3L, Обсяг пам'яті: 2Gb (256M x 8), Тактова частота: 800MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46TR16640B-125JBLA2

частина: 151

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3, Обсяг пам'яті: 1Gb (64M x 16), Тактова частота: 800MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46TR16128CL-15HBLA2-TR

частина: 7674

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3L, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16), Тактова частота: 667MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43TR82560B-15HBLI

частина: 7515

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3, Обсяг пам'яті: 2Gb (256M x 8), Тактова частота: 667MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46DR16320D-25DBLA2

частина: 7340

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 400MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46R16320E-6TLA2

частина: 118

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43LR16640A-5BL

частина: 6868

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR, Обсяг пам'яті: 1Gb (64M x 16), Тактова частота: 200MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42VM16320E-6BLI

частина: 6855

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46R16320D-5TLA1-TR

частина: 7326

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 200MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61NLP25618A-200B3LI

частина: 7993

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (256K x 18), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46TR16128BL-15HBLA1-TR

частина: 7567

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3L, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16), Тактова частота: 667MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43LR32160B-6BL

частина: 6739

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (16M x 32), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61NLP12836EC-200B3LI

частина: 8933

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (128K x 36), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS62C10248AL-55TLI-TR

частина: 8243

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 8Mb (1M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS34MW04G084-TLI-TR

частина: 67

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND (SLC), Обсяг пам'яті: 4Gb (512M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43TR16256A-15HBL

частина: 8866

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3, Обсяг пам'яті: 4Gb (256M x 16), Тактова частота: 667MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46R86400D-6TLA1

частина: 7075

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S32800G-6BI

частина: 6803

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (8M x 32), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS65WV25616BLL-70TLA3

частина: 8163

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43R86400D-5BLI

частина: 6818

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Тактова частота: 200MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46TR16128BL-125KBLA1-TR

частина: 7313

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3L, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16), Тактова частота: 800MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46DR16640B-25DBLA1

частина: 6674

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 1Gb (64M x 16), Тактова частота: 400MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS62C51216AL-55TLI-TR

частина: 8258

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 8Mb (512K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46TR16128B-15HBLA1

частина: 7053

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16), Тактова частота: 667MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43R32160D-5BL-TR

частина: 7127

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (16M x 32), Тактова частота: 200MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS62WV20488EBLL-55BLI-TR

частина: 9032

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (2M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS64WV25616BLL-10BLA3

частина: 8576

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань

частина: 8672

частина: 133

частина: 7191

частина: 8497

частина: 7124

частина: 7306

частина: 6720

частина: 7266

частина: 7223

частина: 84

частина: 151

частина: 7674

частина: 7515

частина: 7340

частина: 118

частина: 6868

частина: 6855

частина: 7326

частина: 7993

частина: 7567

частина: 6739

частина: 8933

частина: 8243

частина: 67

частина: 8866

частина: 7075

частина: 6803

частина: 8163

частина: 6818

частина: 7313

частина: 6674

частина: 8258

частина: 7053

частина: 7127

частина: 9032

частина: 8576