Пам'ять

IS62WV102416GALL-55TLI-TR

частина: 60

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS62WV102416EBLL-45BLI-TR

частина: 8632

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LPS12836EC-200TQLI

частина: 8478

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (128K x 36), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43TR82560BL-125KBLI-TR

частина: 7825

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3L, Обсяг пам'яті: 2Gb (256M x 8), Тактова частота: 800MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46R16320E-6BLA2-TR

частина: 102

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS66WV25616BLL-55TLI-TR

частина: 8098

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: PSRAM, Технологія: PSRAM (Pseudo SRAM), Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S32400E-7TL

частина: 4020

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 128Mb (4M x 32), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16800E-7TLI

частина: 1775

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS65WV25616BLL-70TLA3-TR

частина: 8999

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S32160B-7TLI-TR

частина: 7264

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 512Mb (16M x 32), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61NLP12836B-200TQI

частина: 9009

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (128K x 36), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S81600E-7TL-TR

частина: 7548

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 128Mb (16M x 8), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S16400F-7TLA1

частина: 7816

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 64Mb (4M x 16), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S32160B-75TLI

частина: 7190

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 512Mb (16M x 32), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16400F-6BL

частина: 6599

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 64Mb (4M x 16), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43TR16128BL-125KBLI

частина: 7511

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3L, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16), Тактова частота: 800MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (16M x 32), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV12824-8BL-TR

частина: 61

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 3Mb (128K x 24), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 8ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S32800D-75ETLI

частина: 7514

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (8M x 32), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16800E-6BL

частина: 6723

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43R16160B-5TLI

частина: 1788

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 200MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S32160B-75BL-TR

частина: 1802

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 512Mb (16M x 32), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46DR16640B-25DBLA1-TR

частина: 7518

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 1Gb (64M x 16), Тактова частота: 400MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43R86400D-5BLI-TR

частина: 7657

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Тактова частота: 200MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S16400F-7BLA1

частина: 7884

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 64Mb (4M x 16), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LPS51236A-200B3LI-TR

частина: 8017

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S32160C-6BL-TR

частина: 7249

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 512Mb (16M x 32), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S32400E-7BL-TR

частина: 7399

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 128Mb (4M x 32), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S32160C-75BL

частина: 1823

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 512Mb (16M x 32), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S32160C-75BLI

частина: 7292

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 512Mb (16M x 32), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16160D-75EBL

частина: 6598

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS66WV25616BLL-55BLI-TR

частина: 8024

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: PSRAM, Технологія: PSRAM (Pseudo SRAM), Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS66WV25616BLL-55TLI

частина: 8078

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: PSRAM, Технологія: PSRAM (Pseudo SRAM), Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16800E-75ETLI

частина: 7108

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46R16320D-6BLA1-TR

частина: 7430

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S32160B-75TLI-TR

частина: 1807

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 512Mb (16M x 32), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань

частина: 60

частина: 8632

частина: 8478

частина: 7825

частина: 102

частина: 8098

частина: 4020

частина: 1775

частина: 8999

частина: 7264

частина: 9009

частина: 7548

частина: 7816

частина: 7190

частина: 6599

частина: 7511

частина: 7641

частина: 61

частина: 7514

частина: 6723

частина: 1788

частина: 1802

частина: 7518

частина: 7657

частина: 7884

частина: 8017

частина: 7249

частина: 7399

частина: 1823

частина: 7292

частина: 6598

частина: 8024

частина: 8078

частина: 7108

частина: 7430

частина: 1807