Пам'ять

IS42SM16160E-6BLI-TR

частина: 5036

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 166MHz,

IS61NLP25636A-200B2I-TR

частина: 2422

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (256K x 36), Тактова частота: 200MHz,

IS49NLS18320-25BLI

частина: 1359

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 576Mb (32M x 18), Тактова частота: 400MHz,

IS61QDB21M36A-250M3L

частина: 2556

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, QUAD, Обсяг пам'яті: 36Mb (1M x 36), Тактова частота: 250MHz,

IS45S32400E-6BLA1

частина: 5941

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 128Mb (4M x 32), Тактова частота: 166MHz,

IS49NLC18160-25BL

частина: 9822

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 288Mb (16M x 18), Тактова частота: 400MHz,

IS43LR32800F-6BL

частина: 7077

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (8M x 32), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

IS62WV25616DALL-55BI

частина: 4220

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

IS42S16320B-6BLI-TR

частина: 8550

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 166MHz,

IS42SM32400G-6BLI-TR

частина: 5542

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile, Обсяг пам'яті: 128Mb (4M x 32), Тактова частота: 166MHz,

IS45S16160D-7TLA2

частина: 8191

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 143MHz,

IS42R32800J-7TLI

частина: 2937

IS41C16257C-35TLI-TR

частина: 2917

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM - FP, Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16),

IS61NLF102436A-7.5TQLI-TR

частина: 2227

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 36Mb (1M x 36), Тактова частота: 117MHz,

IS49NLS96400-33BL

частина: 1779

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 576Mb (64M x 9), Тактова частота: 300MHz,

IS49NLC36160-25BLI

частина: 135

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 576Mb (16M x 36), Тактова частота: 400MHz,

IS61LF51236A-7.5B3LI

частина: 2153

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 117MHz,

IS29LV032B-70BLI

частина: 431

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 32Mb (4M x 8, 2M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

IS62WV25616DBLL-45BI-TR

частина: 4280

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

IS64WV51216BLL-10CTLA3-TR

частина: 5389

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 8Mb (512K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

IS25LQ512A-JNLE

частина: 2303

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 512Kb (64K x 8), Тактова частота: 80MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 400µs,

IS42S32200E-5TL

частина: 5546

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 64Mb (2M x 32), Тактова частота: 200MHz,

IS42RM32400G-6BLI-TR

частина: 3071

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile, Обсяг пам'яті: 128Mb (4M x 32), Тактова частота: 166MHz,

IS43LR32200B-6BLI-TR

частина: 7018

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR, Обсяг пам'яті: 64Mb (2M x 32), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

IS46DR16640B-25EBLA1

частина: 9167

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 1Gb (64M x 16), Тактова частота: 400MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

IS66WVE1M16BLL-70BLI

частина: 3301

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: PSRAM, Технологія: PSRAM (Pseudo SRAM), Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

IS25LD020-JKLE-TR

частина: 1955

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH, Обсяг пам'яті: 2Mb (256K x 8), Тактова частота: 100MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5ms,

IS42VM32200K-75BLI

частина: 5996

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile, Обсяг пам'яті: 64Mb (2M x 32), Тактова частота: 133MHz,

IS25CD512-JNLE-TR

частина: 1926

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH, Обсяг пам'яті: 512Kb (64K x 8), Тактова частота: 100MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5ms,

IS42RM32800D-75BLI-TR

частина: 3513

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile, Обсяг пам'яті: 256Mb (8M x 32), Тактова частота: 133MHz,

IS43TR16128A-15HBL-TR

частина: 7646

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16), Тактова частота: 667MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

IS43LR32100C-6BL

частина: 6890

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR, Обсяг пам'яті: 32Mb (1M x 32), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

IS62WV102416BLL-25MI

частина: 3066

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

IS46LR32160B-6BLA2-TR

частина: 4477

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (16M x 32), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

IS62WV25616DBLL-45BLI

частина: 3180

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

IS61NVP51236-200B3LI

частина: 2539

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 200MHz,