Пам'ять | Інтегральні схеми (ІС) | 100

IS61WV102416BLL-10MLI

частина: 3253

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16160G-7BI

частина: 3348

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43R16320E-6BI-TR

частина: 4307

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512M (32M x 16), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43R32800D-5BI-TR

частина: 2239

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (8M x 32), Тактова частота: 200MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61NVP102418-200B3I-TR

частина: 2867

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (1M x 18), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61NVP51236-250B3I

частина: 4678

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 250MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16800F-6BI

частина: 3367

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LF102418A-7.5B3I-TR

частина: 2399

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (1M x 18), Тактова частота: 117MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25WP032-JBLE-TR

частина: 1615

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 32Mb (4M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 800µs,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61NVF51236-6.5B3I

частина: 4556

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LPD102418A-250B3

частина: 3954

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Quad Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (1M x 18), Тактова частота: 250MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61NLP102418-200B3I-TR

частина: 2730

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (1M x 18), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61VF51236A-6.5B3I-TR

частина: 3039

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61NVP102418-250B3

частина: 4596

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (1M x 18), Тактова частота: 250MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LPD102418A-250B3I

частина: 3966

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Quad Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (1M x 18), Тактова частота: 250MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LPS51236A-200B3I

частина: 4115

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LPS102418A-200B3

частина: 4034

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (1M x 18), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61NVF25672-6.5B1I-TR

частина: 2865

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (256K x 72), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61NVP25672-200B1

частина: 4498

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (256K x 72), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16160J-6TI-TR

частина: 1725

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LF102418A-6.5B3I

частина: 3933

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (1M x 18), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46DR81280C-3DBLA1

частина: 4456

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8), Тактова частота: 333MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46DR81280C-3DBLA2-TR

частина: 2374

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8), Тактова частота: 333MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS64WV102416BLL-10MLA3-TR

частина: 3400

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LPD102418A-200TQI

частина: 3205

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (1M x 18), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25WP016-JMLE-TR

частина: 1618

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 16Mb (2M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 800µs,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61VPD51236A-250B3I-TR

частина: 3223

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Quad Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 250MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LF102418A-6.5B3-TR

частина: 2307

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (1M x 18), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LPS102418A-250B3I

частина: 4149

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (1M x 18), Тактова частота: 250MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46DR81280B-3DBLA2-TR

частина: 2333

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8), Тактова частота: 333MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61NVF102418-6.5B3I

частина: 4439

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (1M x 18), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV20488BLL-10MLI

частина: 3259

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (2M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61NVP102418-200TQLI

частина: 4600

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (1M x 18), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61NLF51236-6.5B3-TR

частина: 2574

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43R32400E-4B-TR

частина: 2184

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 128Mb (4M x 32), Тактова частота: 250MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 16ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43R16160D-6BI

частина: 3773

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань