Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Пам'ять

IS43LR32320B-5BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43LR32320B-5BLI

частина: 3703

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR, Обсяг пам'яті: 1Gb (32M x 32), Тактова частота: 200MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS61NVP102418-200B3-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61NVP102418-200B3-TR

частина: 2896

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (1M x 18), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань
IS43TR16128B-107MBL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43TR16128B-107MBL-TR

частина: 2160

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16), Тактова частота: 933MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS42S16160G-6BI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16160G-6BI

частина: 3405

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань
IS61VPD51236A-250B3-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61VPD51236A-250B3-TR

частина: 3179

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Quad Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 250MHz,

Список побажань
IS42S16800F-6B-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16800F-6B-TR

частина: 1821

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань
IS46DR81280B-25DBLA2
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46DR81280B-25DBLA2

частина: 3785

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8), Тактова частота: 400MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS61VF51236A-7.5B3-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61VF51236A-7.5B3-TR

частина: 3038

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 117MHz,

Список побажань
IS61VPD102418A-250B3-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61VPD102418A-250B3-TR

частина: 3190

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Quad Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (1M x 18), Тактова частота: 250MHz,

Список побажань
IS42S32200L-7BI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S32200L-7BI-TR

частина: 1798

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 64Mb (2M x 32), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань
IS42S16160G-7BI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16160G-7BI-TR

частина: 1771

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань
IS61LF51236A-7.5B3-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LF51236A-7.5B3-TR

частина: 2456

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 117MHz,

Список побажань
IS43TR16128B-107MBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43TR16128B-107MBLI-TR

частина: 2179

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16), Тактова частота: 933MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS43QR16256A-093PBL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43QR16256A-093PBL-TR

частина: 2133

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR4, Обсяг пам'яті: 4Gb (256M x 16), Тактова частота: 1.066GHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS61NLF51236-7.5B3I-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61NLF51236-7.5B3I-TR

частина: 2677

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 117MHz,

Список побажань
IS46DR81280B-25DBLA1
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46DR81280B-25DBLA1

частина: 4423

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8), Тактова частота: 400MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS61LPS51236A-250B3I-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LPS51236A-250B3I-TR

частина: 2571

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 250MHz,

Список побажань
IS61NVF102418-6.5B3
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61NVF102418-6.5B3

частина: 4410

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (1M x 18), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань
IS61NLF51236-7.5B3I
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61NLF51236-7.5B3I

частина: 4329

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 117MHz,

Список побажань
IS61LPD51236A-250B3
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LPD51236A-250B3

частина: 4459

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Quad Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 250MHz,

Список побажань
IS43TR16512AL-125KBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43TR16512AL-125KBLI-TR

частина: 131

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3L, Обсяг пам'яті: 8Gb (512M x 16), Тактова частота: 800MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS43TR16128B-107MBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43TR16128B-107MBLI

частина: 3759

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16), Тактова частота: 933MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS61NLF102418-6.5B3I
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61NLF102418-6.5B3I

частина: 4297

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (1M x 18), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань
IS43LR32320B-5BL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43LR32320B-5BL-TR

частина: 2059

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR, Обсяг пам'яті: 1Gb (32M x 32), Тактова частота: 200MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS61NLF102418-6.5B3
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61NLF102418-6.5B3

частина: 4240

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (1M x 18), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань
IS61LPS102418A-250B3I-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LPS102418A-250B3I-TR

частина: 2548

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (1M x 18), Тактова частота: 250MHz,

Список побажань
IS61NVF102418-7.5B3I-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61NVF102418-7.5B3I-TR

частина: 2754

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (1M x 18), Тактова частота: 117MHz,

Список побажань
IS64WV20488BLL-10CTLA3-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS64WV20488BLL-10CTLA3-TR

частина: 3392

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (2M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань
IS61LV12824-8BL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LV12824-8BL

частина: 4182

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 3Mb (128K x 24), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 8ns,

Список побажань
IS61NVP25672-200B1I
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61NVP25672-200B1I

частина: 4635

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (256K x 72), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань
IS43TR16512A-15HBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43TR16512A-15HBLI

частина: 132

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3, Обсяг пам'яті: 8Gb (512M x 16), Тактова частота: 667MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS42S32400F-7B-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S32400F-7B-TR

частина: 1905

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 128Mb (4M x 32), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань
IS61NVP51236-250B3I-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61NVP51236-250B3I-TR

частина: 2971

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 250MHz,

Список побажань
IS43TR16128C-107MBL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43TR16128C-107MBL-TR

частина: 2246

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16), Тактова частота: 933MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS46DR81280B-3DBLA1
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46DR81280B-3DBLA1

частина: 3831

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8), Тактова частота: 333MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS61NLF25672-6.5B1
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61NLF25672-6.5B1

частина: 4238

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (256K x 72), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань