Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Пам'ять

IS43DR16128B-25EBL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43DR16128B-25EBL

частина: 3359

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16), Тактова частота: 400MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS61WV102416DALL-10TLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV102416DALL-10TLI-TR

частина: 3299

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань
IS61DDB21M18C-250M3L
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61DDB21M18C-250M3L

частина: 122

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, DDR II, Обсяг пам'яті: 18Mb (1M x 18), Тактова частота: 250MHz,

Список побажань
IS45S16320D-7CTLA2-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S16320D-7CTLA2-TR

частина: 3151

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань
IS45S16320F-7BLA2
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S16320F-7BLA2

частина: 3579

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань
IS61NLP102418B-250B3LI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61NLP102418B-250B3LI

частина: 3926

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (1M x 18), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань
IS49NLS18160-33WBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS49NLS18160-33WBLI

частина: 3256

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 288Mb (16M x 18), Тактова частота: 300MHz,

Список побажань
IS61WV102416DALL-10BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV102416DALL-10BLI

частина: 3226

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань
IS43TR16512AL-15HBL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43TR16512AL-15HBL-TR

частина: 93

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3L, Обсяг пам'яті: 8Gb (512M x 16), Тактова частота: 667MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS61WV204816BLL-10BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV204816BLL-10BLI-TR

частина: 109

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 32Mb (2M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань
IS25WP016D-JLLE
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25WP016D-JLLE

частина: 3247

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 16Mb (2M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 800µs,

Список побажань
IS42S16320D-7TLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16320D-7TLI

частина: 3513

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань
IS61WV204816ALL-10TLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV204816ALL-10TLI-TR

частина: 127

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 32Mb (2M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань
IS61LPS51236B-200B3LI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LPS51236B-200B3LI

частина: 3828

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань
IS61LPD51236A-200TQLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LPD51236A-200TQLI

частина: 3517

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань
IS21ES08G-JCLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS21ES08G-JCLI

частина: 1384

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND (MLC), Обсяг пам'яті: 64Gb (8G x 8), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань
IS45S16320D-7CTLA2
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S16320D-7CTLA2

частина: 2936

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань
IS61LPD51236A-200TQI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LPD51236A-200TQI-TR

частина: 4008

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань
IS43TR16512A-125KBL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43TR16512A-125KBL-TR

частина: 144

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3, Обсяг пам'яті: 8Gb (512M x 16), Тактова частота: 800MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS43TR16512A-15HBL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43TR16512A-15HBL-TR

частина: 154

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3, Обсяг пам'яті: 8Gb (512M x 16), Тактова частота: 667MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS64LF25636A-7.5B3LA3-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS64LF25636A-7.5B3LA3-TR

частина: 3929

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (256K x 36), Тактова частота: 117MHz,

Список побажань
IS45S16320D-7BLA2
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S16320D-7BLA2

частина: 3022

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань
IS62WV102416ALL-35MLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS62WV102416ALL-35MLI

частина: 3556

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 35ns,

Список побажань
IS62WV102416ALL-35MLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS62WV102416ALL-35MLI-TR

частина: 4059

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 35ns,

Список побажань
IS46TR16256AL-15HBLA2
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46TR16256AL-15HBLA2

частина: 3481

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3, Обсяг пам'яті: 4Gb (256M x 16), Тактова частота: 667MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS61WV204816ALL-10BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV204816ALL-10BLI

частина: 149

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 32Mb (2M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань
IS61WV102416ALL-20MLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV102416ALL-20MLI

частина: 130

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 20ns,

Список побажань
IS62WV5128DALL-55TLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS62WV5128DALL-55TLI-TR

частина: 830

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

Список побажань
IS62WV5128DALL-55HLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS62WV5128DALL-55HLI

частина: 856

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

Список побажань
IS42VM16200C-75BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42VM16200C-75BLI-TR

частина: 9460

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile, Обсяг пам'яті: 32Mb (2M x 16), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань
IS42RM32400G-75BI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42RM32400G-75BI

частина: 3855

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile, Обсяг пам'яті: 128Mb (4M x 32), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань
IS62WV5128DALL-55BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS62WV5128DALL-55BLI

частина: 910

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

Список побажань
IS42SM32400H-75BI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42SM32400H-75BI

частина: 3724

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile, Обсяг пам'яті: 128Mb (4M x 32), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань
IS42RM32200K-6BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42RM32200K-6BLI-TR

частина: 3845

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile, Обсяг пам'яті: 64Mb (2M x 32), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань
IS64WV51216BLL-10MLA3
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS64WV51216BLL-10MLA3

частина: 4433

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 8Mb (512K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань
IS61NLP102418B-250B3LI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61NLP102418B-250B3LI-TR

частина: 4495

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (1M x 18), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань