Діоди - Випрямлячі - одинарні

IDC05S60CEX1SA1

частина: 2377

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 5A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 5A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

IDH02G65C5XKSA1

частина: 5266

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 650V, Струм - середній випрямлений (Io): 2A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 2A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

IDK09G65C5XTMA1

частина: 2371

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 650V, Струм - середній випрямлений (Io): 9A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.8V @ 9A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

IDC08S60CEX1SA2

частина: 2399

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 8A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 8A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

IDL02G65C5XUMA1

частина: 2331

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 650V, Струм - середній випрямлений (Io): 2A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 2A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

IDP30E120XKSA1

частина: 34878

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1200V, Струм - середній випрямлений (Io): 50A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 2.15V @ 30A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 243ns,

IDB06S60CATMA2

частина: 2626

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 6A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 6A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

IRD3CH101DB6

частина: 2341

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1200V, Струм - середній випрямлений (Io): 200A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 2.7V @ 200A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 360ns,

IRD3CH24DF6

частина: 2382

IDK12G65C5XTMA1

частина: 2311

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 650V, Струм - середній випрямлений (Io): 12A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.8V @ 12A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

IDC04S60CEX7SA1

частина: 2434

IDL04G65C5XUMA1

частина: 2353

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 650V, Струм - середній випрямлений (Io): 4A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 4A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

IDW75E60FKSA1

частина: 1516

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 120A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 2V @ 75A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 121ns,

IDK06G65C5XTMA1

частина: 2335

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 650V, Струм - середній випрямлений (Io): 6A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.8V @ 6A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

IRD3CH11DF6

частина: 2342

IDW40G65C5XKSA1

частина: 4319

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 650V, Струм - середній випрямлений (Io): 40A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 40A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

IDC08S60CEX7SA1

частина: 2440

IDW15S120FKSA1

частина: 2436

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1200V, Струм - середній випрямлений (Io): 15A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.8V @ 15A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

IDH12G65C5XKSA1

частина: 2289

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 650V, Струм - середній випрямлений (Io): 12A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 12A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

D1050N14TXPSA1

частина: 2299

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1400V, Струм - середній випрямлений (Io): 1050A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1V @ 1000A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDH12G65C6XKSA1

частина: 12700

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 650V, Струм - середній випрямлений (Io): 27A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.35V @ 12A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

IRD3CH82DB6

частина: 5258

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1200V, Струм - середній випрямлений (Io): 150A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 2.7V @ 150A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 355ns,

IDL08G65C5XUMA1

частина: 2367

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 650V, Струм - середній випрямлений (Io): 8A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 8A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

IRD3CH24DD6

частина: 5312

IDW15E65D2FKSA1

частина: 41876

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 650V, Струм - середній випрямлений (Io): 30A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 2.3V @ 15A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 47ns,

IRD3CH53DF6

частина: 2322

D1050N16TXPSA1

частина: 2266

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1600V, Струм - середній випрямлений (Io): 1050A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1V @ 1000A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDH20G65C6XKSA1

частина: 8465

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 650V, Струм - середній випрямлений (Io): 41A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.35V @ 20A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

IRD3CH24DB6

частина: 5317

IRD3CH16DF6

частина: 2362

IDW10G65C5XKSA1

частина: 12731

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 650V, Струм - середній випрямлений (Io): 10A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 10A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

IRD3CH101DF6

частина: 2365

IDK10G65C5XTMA1

частина: 2337

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 650V, Струм - середній випрямлений (Io): 10A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.8V @ 10A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

IDH16G120C5XKSA1

частина: 6043

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1200V, Струм - середній випрямлений (Io): 16A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.95V @ 16A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

IRD3CH31DF6

частина: 2321

IRD3CH42DF6

частина: 2347