Діоди - Випрямлячі - одинарні

IRD3CH31DD6

частина: 2359

D770N14TXPSA1

частина: 2110

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1400V, Струм - середній випрямлений (Io): 770A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.08V @ 400A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDV30E65D2XKSA1

частина: 46154

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 650V, Струм - середній випрямлений (Io): 30A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 2.2V @ 30A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 42ns,

IDV20E65D1XKSA1

частина: 47923

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 650V, Струм - середній випрямлений (Io): 28A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 20A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 42ns,

IDH08G65C6XKSA1

частина: 18927

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 650V, Струм - середній випрямлений (Io): 20A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.35V @ 8A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

D770N12TXPSA1

частина: 2033

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1200V, Струм - середній випрямлений (Io): 770A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.08V @ 400A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D1050N12TXPSA1

частина: 2267

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1200V, Струм - середній випрямлений (Io): 1050A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1V @ 1000A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDP08E65D1XKSA1

частина: 67894

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 650V, Струм - середній випрямлений (Io): 8A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 8A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 80ns,

D770N20TXPSA1

частина: 2099

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 2000V, Струм - середній випрямлений (Io): 770A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.08V @ 400A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D820N20TXPSA1

частина: 2264

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 2000V, Струм - середній випрямлений (Io): 820A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.25V @ 750A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDH05G120C5XKSA1

частина: 13098

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1200V, Струм - середній випрямлений (Io): 5A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.8V @ 5A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

IDH10G120C5XKSA1

частина: 8281

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1200V, Струм - середній випрямлений (Io): 10A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.8V @ 10A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

IDP15E65D2XKSA1

частина: 59599

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 650V, Струм - середній випрямлений (Io): 15A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 2.3V @ 15A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 47ns,

IDW12G65C5XKSA1

частина: 12018

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 650V, Струм - середній випрямлений (Io): 12A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 12A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

IDH20G120C5XKSA1

частина: 4502

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1200V, Струм - середній випрямлений (Io): 56A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.8V @ 20A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

IDV06S60CXKSA1

частина: 1555

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 6A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 6A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

HFA15PB60PBF

частина: 26323

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 15A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 15A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 60ns,

IDH06G65C5XKSA1

частина: 1624

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 650V, Струм - середній випрямлений (Io): 6A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 6A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

IDW30G65C5FKSA1

частина: 1668

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 650V, Струм - середній випрямлений (Io): 30A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 30A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

IDW10G65C5FKSA1

частина: 1640

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 650V, Струм - середній випрямлений (Io): 10A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 10A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

IDB12E120ATMA1

частина: 1490

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1200V, Струм - середній випрямлений (Io): 28A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 2.15V @ 12A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 150ns,

IDP09E120

частина: 1554

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1200V, Струм - середній випрямлений (Io): 23A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 2.15V @ 9A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 140ns,

IDH20G65C5XKSA1

частина: 1630

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 650V, Струм - середній випрямлений (Io): 20A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 20A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

IDB23E60ATMA1

частина: 1521

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 41A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 2V @ 23A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 120ns,

IDD03SG60CXTMA1

частина: 1478

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 3A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 2.3V @ 3A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

IDB15E60

частина: 1514

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 29.2A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 2V @ 15A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 87ns,

IDH03G65C5XKSA1

частина: 1609

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 650V, Струм - середній випрямлений (Io): 3A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 3A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

IDV05S60CXKSA1

частина: 1514

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 5A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 5A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

IDW16G65C5FKSA1

частина: 5259

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 650V, Струм - середній випрямлений (Io): 16A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 16A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

IDP06E60

частина: 1466

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 14.7A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 2V @ 6A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 70ns,

IDH08G65C5XKSA1

частина: 1682

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 650V, Струм - середній випрямлений (Io): 8A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 8A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

IDB45E60ATMA1

частина: 1500

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 71A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 2V @ 45A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 140ns,

IDW12G65C5FKSA1

частина: 1666

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 650V, Струм - середній випрямлений (Io): 12A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 12A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

IDH09G65C5XKSA1

частина: 1642

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 650V, Струм - середній випрямлений (Io): 9A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 9A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

IDH10G65C6XKSA1

частина: 15125

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 650V, Струм - середній випрямлений (Io): 24A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.35V @ 10A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

IDV30E60C

частина: 5572

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 21A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 2.05V @ 30A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 130ns,