Діоди - Випрямлячі - одинарні

IDH08G65C5XKSA2

частина: 17096

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 650V, Струм - середній випрямлений (Io): 8A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 8A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

IDK05G65C5XTMA2

частина: 51817

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 650V, Струм - середній випрямлений (Io): 5A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.8V @ 5A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

GATELEADWHRD762XPSA1

частина: 194

IDH04G65C6XKSA1

частина: 31780

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 650V, Струм - середній випрямлений (Io): 12A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.35V @ 4A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

GATELEADWHBK750XXPSA1

частина: 166

IDH03G65C5XKSA2

частина: 38597

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 650V, Струм - середній випрямлений (Io): 3A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 3A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

IDL08G65C5XUMA2

частина: 167

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 650V, Струм - середній випрямлений (Io): 8A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 8A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

IDK04G65C5XTMA2

частина: 62465

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 650V, Струм - середній випрямлений (Io): 4A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.8V @ 4A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

IDH02G65C5XKSA2

частина: 207

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 650V, Струм - середній випрямлений (Io): 2A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 2A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

IDH04SG60CXKSA2

частина: 216

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 4A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 2.3V @ 4A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

IDD05SG60CXTMA2

частина: 148

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 5A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 2.3V @ 5A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

IDK08G65C5XTMA2

частина: 219

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 650V, Струм - середній випрямлений (Io): 8A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.8V @ 8A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

IDH03SG60CXKSA2

частина: 141

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 3A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 2.3V @ 3A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

IDH05G65C5XKSA2

частина: 217

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 650V, Струм - середній випрямлений (Io): 5A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 5A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

IDK03G65C5XTMA2

частина: 78467

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 650V, Струм - середній випрямлений (Io): 3A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.8V @ 3A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

IDL06G65C5XUMA2

частина: 164

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 650V, Струм - середній випрямлений (Io): 6A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 6A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

IDD04SG60CXTMA2

частина: 217

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 4A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 2.3V @ 4A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

IDL02G65C5XUMA2

частина: 197

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 650V, Струм - середній випрямлений (Io): 2A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 2A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

GATELEADWHBU445XXPSA1

частина: 130

GATELEADMPWHPK1258XXPSA1

частина: 222

IDW30G65C5XKSA1

частина: 5618

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 650V, Струм - середній випрямлений (Io): 30A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 30A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

IDW24G65C5BXKSA2

частина: 8231

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 650V, Струм - середній випрямлений (Io): 12A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 12A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

IDH10G65C5XKSA2

частина: 13701

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 650V, Струм - середній випрямлений (Io): 10A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 10A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

IDH05SG60CXKSA2

частина: 169

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 5A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 2.3V @ 5A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

IDK09G65C5XTMA2

частина: 28769

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 650V, Струм - середній випрямлений (Io): 9A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.8V @ 9A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

IDW20G65C5BXKSA2

частина: 9329

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 650V, Струм - середній випрямлений (Io): 10A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 10A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

GATELEADWHBN661XXPSA1

частина: 133

IDL04G65C5XUMA2

частина: 178

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 650V, Струм - середній випрямлений (Io): 4A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 4A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

IDW20G65C5XKSA1

частина: 7363

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 650V, Струм - середній випрямлений (Io): 20A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 20A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

IDW40G65C5BXKSA2

частина: 4935

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 650V, Струм - середній випрямлений (Io): 20A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 20A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

IDD03SG60CXTMA2

частина: 202

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 3A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 2.3V @ 3A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

IDH16G65C5XKSA2

частина: 9608

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 650V, Струм - середній випрямлений (Io): 16A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 16A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

IDH06G65C6XKSA1

частина: 25253

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 650V, Струм - середній випрямлений (Io): 16A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.35V @ 6A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

IDP30E65D1XKSA1

частина: 46102

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 650V, Струм - середній випрямлений (Io): 60A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 30A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 64ns,

IDP1301GXUMA1

частина: 50176

D911SH45T

частина: 250

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 4500V, Струм - середній випрямлений (Io): 1140A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 6V @ 2500A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),