Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1400V, Струм - середній випрямлений (Io): 25A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.55V @ 60A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1600V, Струм - середній випрямлений (Io): 25A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.55V @ 60A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Io): 25A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.55V @ 60A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 800V, Струм - середній випрямлений (Io): 25A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.55V @ 60A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1200V, Струм - середній випрямлений (Io): 5A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.8V @ 2A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,
Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1200V, Струм - середній випрямлений (Io): 25A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.55V @ 60A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1200V, Струм - середній випрямлений (Io): 10A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.8V @ 10A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,
Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 30V, Струм - середній випрямлений (Io): 300A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 580mV @ 300A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 20V, Струм - середній випрямлений (Io): 300A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 580mV @ 300A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 45V, Струм - середній випрямлений (Io): 200A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 600mV @ 200A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 3300V, Струм - середній випрямлений (Io): 300mA, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 300mA, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,
Тип діода: Schottky, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 30V, Струм - середній випрямлений (Io): 200A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 580mV @ 200A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1200V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.8V @ 1A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,
Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 40V, Струм - середній випрямлений (Io): 200A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 600mV @ 200A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1200V, Струм - середній випрямлений (Io): 2.5A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.8V @ 1A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,
Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1200V, Струм - середній випрямлений (Io): 5A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.8V @ 2A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,
Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1200V, Струм - середній випрямлений (Io): 10A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 2V @ 10A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,
