Діоди - Випрямлячі - одинарні | Дискретні напівпровідникові вироби | 21

MBR8045

частина: 4200

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 45V, Струм - середній випрямлений (Io): 80A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 650mV @ 80A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань

GeneSiC Semiconductor

MBRH30020RL

частина: 2354

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 20V, Струм - середній випрямлений (Io): 300A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 580mV @ 300A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань

GeneSiC Semiconductor

FR30GR02

частина: 7100

Тип діода: Standard, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Io): 30A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1V @ 30A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 200ns,

Список побажань

GeneSiC Semiconductor

MBRH30040RL

частина: 2289

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 40V, Струм - середній випрямлений (Io): 300A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 600mV @ 300A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань

GeneSiC Semiconductor

MBRH30045L

частина: 2377

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 45V, Струм - середній випрямлений (Io): 300A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 600mV @ 300A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань

GeneSiC Semiconductor

MUR5010R

частина: 5676

Тип діода: Standard, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 100V, Струм - середній випрямлений (Io): 50A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1V @ 50A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 75ns,

Список побажань

GeneSiC Semiconductor

FR85G02

частина: 6031

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Io): 85A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.4V @ 85A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 200ns,

Список побажань

GeneSiC Semiconductor

FR40MR05

частина: 7147

Тип діода: Standard, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1000V, Струм - середній випрямлений (Io): 40A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1V @ 40A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 500ns,

Список побажань

GeneSiC Semiconductor

FR85GR02

частина: 6017

Тип діода: Standard, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Io): 85A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.4V @ 85A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 200ns,

Список побажань

GeneSiC Semiconductor

MBRH30030L

частина: 2356

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 30V, Струм - середній випрямлений (Io): 300A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 580mV @ 300A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань

GeneSiC Semiconductor

MURH7060R

частина: 2350

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 70A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 70A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 110ns,

Список побажань

GeneSiC Semiconductor

MBRH30045RL

частина: 2334

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 45V, Струм - середній випрямлений (Io): 300A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 600mV @ 300A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань

GeneSiC Semiconductor

MBRH30040L

частина: 2296

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 40V, Струм - середній випрямлений (Io): 300A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 600mV @ 300A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань

GeneSiC Semiconductor

MBRH30035L

частина: 2318

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 35V, Струм - середній випрямлений (Io): 300A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 600mV @ 300A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань

GeneSiC Semiconductor

MBRH30035RL

частина: 5231

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 35V, Струм - середній випрямлений (Io): 300A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 600mV @ 300A,

Список побажань

GeneSiC Semiconductor

MBRH20035L

частина: 2307

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 35V, Струм - середній випрямлений (Io): 200A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 600mV @ 200A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань

GeneSiC Semiconductor

MBRH20045RL

частина: 2242

Тип діода: Schottky, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 45V, Струм - середній випрямлений (Io): 200A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 600mV @ 200A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань

GeneSiC Semiconductor

MBRH15020RL

частина: 2232

Тип діода: Schottky, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 20V, Струм - середній випрямлений (Io): 150A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 580mV @ 150A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань

GeneSiC Semiconductor

GAP05SLT80-220

частина: 311

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 8000V, Струм - середній випрямлений (Io): 50mA (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 4.6V @ 50mA, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

Список побажань

GeneSiC Semiconductor

MBRH20020RL

частина: 2319

Тип діода: Schottky, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 20V, Струм - середній випрямлений (Io): 200A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 580mV @ 200mA, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань

GeneSiC Semiconductor

MBRH15045RL

частина: 2265

Тип діода: Schottky, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 45V, Струм - середній випрямлений (Io): 150A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 600mV @ 150A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань

GeneSiC Semiconductor

MBRH15030L

частина: 2239

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 30V, Струм - середній випрямлений (Io): 150A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 580mV @ 150A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань

GeneSiC Semiconductor

MBRH20020L

частина: 2328

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 20V, Струм - середній випрямлений (Io): 200A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 580mV @ 200mA, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань

GeneSiC Semiconductor

MBRH15040L

частина: 2310

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 40V, Струм - середній випрямлений (Io): 150A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 600mV @ 150A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань

GeneSiC Semiconductor

MBRH15035L

частина: 2284

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 35V, Струм - середній випрямлений (Io): 150A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 600mV @ 150A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань

GeneSiC Semiconductor

MBRH20030L

частина: 2270

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 30V, Струм - середній випрямлений (Io): 200A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 580mV @ 200A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань

GeneSiC Semiconductor

MBRH20040RL

частина: 2239

Тип діода: Schottky, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 40V, Струм - середній випрямлений (Io): 200A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 600mV @ 200A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань

GeneSiC Semiconductor

MBRH20035RL

частина: 5225

Тип діода: Schottky, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 35V, Струм - середній випрямлений (Io): 200A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 600mV @ 200A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань

GeneSiC Semiconductor

MBRH15040RL

частина: 2278

Тип діода: Schottky, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 40V, Струм - середній випрямлений (Io): 150A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 600mV @ 150A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань

GeneSiC Semiconductor

MBRH15035RL

частина: 2301

Тип діода: Schottky, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 35V, Струм - середній випрямлений (Io): 150A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 600mV @ 150A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань

GeneSiC Semiconductor

MBRH15020L

частина: 2249

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 20V, Струм - середній випрямлений (Io): 150A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 580mV @ 150A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань

GeneSiC Semiconductor

MBRH15030RL

частина: 2239

Тип діода: Schottky, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 30V, Струм - середній випрямлений (Io): 150A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань

GeneSiC Semiconductor

MBRH15045L

частина: 2267

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 45V, Струм - середній випрямлений (Io): 150A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 600mV @ 150A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань

GeneSiC Semiconductor

FR6A02

частина: 10367

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 50V, Струм - середній випрямлений (Io): 6A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.4V @ 6A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 200ns,

Список побажань

GeneSiC Semiconductor

GB01SLT12-220

частина: 20747

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1200V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.8V @ 1A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

Список побажань

GeneSiC Semiconductor

GAP3SLT33-214

частина: 5683

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 3300V, Струм - середній випрямлений (Io): 300mA (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 2.2V @ 300mA, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

Список побажань