Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Діоди - Випрямлячі - одинарні

  • Додому
  •  
  • Діоди - Випрямлячі - одинарні
S400KR
GeneSiC Semiconductor

S400KR

частина: 2009

Тип діода: Standard, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 800V, Струм - середній випрямлений (Io): 400A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 400A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
SD4145
GeneSiC Semiconductor

SD4145

частина: 6509

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 45V, Струм - середній випрямлений (Io): 30A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 680mV @ 30A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
FR12M05
GeneSiC Semiconductor

FR12M05

частина: 9525

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1000V, Струм - середній випрямлений (Io): 12A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 800mV @ 12A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 500ns,

Список побажань
S85YR
GeneSiC Semiconductor

S85YR

частина: 7151

Тип діода: Standard, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1600V, Струм - середній випрямлений (Io): 85A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 85A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
GB02SLT12-214
GeneSiC Semiconductor

GB02SLT12-214

частина: 28962

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1200V, Струм - середній випрямлений (Io): 2A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.8V @ 1A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

Список побажань
GB01SLT06-214
GeneSiC Semiconductor

GB01SLT06-214

частина: 37909

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 650V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 2V @ 1A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

Список побажань
GB02SHT01-46
GeneSiC Semiconductor

GB02SHT01-46

частина: 1555

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 100V, Струм - середній випрямлений (Io): 4A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.6V @ 1A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

Список побажань
S40Q
GeneSiC Semiconductor

S40Q

частина: 7175

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1200V, Струм - середній випрямлений (Io): 40A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 40A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
FR85JR02
GeneSiC Semiconductor

FR85JR02

частина: 5989

Тип діода: Standard, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 85A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.4V @ 85A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 250ns,

Список побажань
FR70G02
GeneSiC Semiconductor

FR70G02

частина: 9642

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Io): 70A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.4V @ 70A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 200ns,

Список побажань
GB20SLT12-247
GeneSiC Semiconductor

GB20SLT12-247

частина: 2856

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1200V, Струм - середній випрямлений (Io): 20A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 2V @ 20A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

Список побажань
S300YR
GeneSiC Semiconductor

S300YR

частина: 1824

Тип діода: Standard, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1600V, Струм - середній випрямлений (Io): 300A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 300A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
S40B
GeneSiC Semiconductor

S40B

частина: 11196

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 100V, Струм - середній випрямлений (Io): 40A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 40A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
GB02SLT12-220
GeneSiC Semiconductor

GB02SLT12-220

частина: 17999

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1200V, Струм - середній випрямлений (Io): 2A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.8V @ 2A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

Список побажань
MBR8045R
GeneSiC Semiconductor

MBR8045R

частина: 4212

Тип діода: Schottky, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 45V, Струм - середній випрямлений (Io): 80A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 650mV @ 80A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
FR30J02
GeneSiC Semiconductor

FR30J02

частина: 7131

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 30A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1V @ 30A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 200ns,

Список побажань
MBRH20045
GeneSiC Semiconductor

MBRH20045

частина: 2177

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 45V, Струм - середній випрямлений (Io): 200A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 650mV @ 200A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
S85VR
GeneSiC Semiconductor

S85VR

частина: 7084

Тип діода: Standard, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1400V, Струм - середній випрямлений (Io): 85A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 85A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBR3560R
GeneSiC Semiconductor

MBR3560R

частина: 4392

Тип діода: Schottky, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 60V, Струм - середній випрямлений (Io): 35A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 750mV @ 35A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
FR85JR05
GeneSiC Semiconductor

FR85JR05

частина: 5997

Тип діода: Standard, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 85A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.4V @ 85A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 500ns,

Список побажань
S85Q
GeneSiC Semiconductor

S85Q

частина: 7124

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1200V, Струм - середній випрямлений (Io): 85A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 85A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
S40KR
GeneSiC Semiconductor

S40KR

частина: 8348

Тип діода: Standard, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 800V, Струм - середній випрямлений (Io): 40A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 40A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
FR40G02
GeneSiC Semiconductor

FR40G02

частина: 7130

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Io): 40A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1V @ 40A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 200ns,

Список побажань
MBRH12040R
GeneSiC Semiconductor

MBRH12040R

частина: 2457

Тип діода: Schottky, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 40V, Струм - середній випрямлений (Io): 120A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 700mV @ 120A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
GB02SHT03-46
GeneSiC Semiconductor

GB02SHT03-46

частина: 1505

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 300V, Струм - середній випрямлений (Io): 4A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.6V @ 1A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

Список побажань
MBRH20045R
GeneSiC Semiconductor

MBRH20045R

частина: 2179

Тип діода: Schottky, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 45V, Струм - середній випрямлений (Io): 200A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 700mV @ 200A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
GB50SLT12-247
GeneSiC Semiconductor

GB50SLT12-247

частина: 771

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1200V, Струм - середній випрямлений (Io): 50A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.8V @ 50A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

Список побажань
FR40KR05
GeneSiC Semiconductor

FR40KR05

частина: 7134

Тип діода: Standard, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 800V, Струм - середній випрямлений (Io): 40A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1V @ 40A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 500ns,

Список побажань
FR20GR02
GeneSiC Semiconductor

FR20GR02

частина: 7177

Тип діода: Standard, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Io): 20A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1V @ 20A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 200ns,

Список побажань
GB02SHT06-46
GeneSiC Semiconductor

GB02SHT06-46

частина: 1373

Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 4A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.6V @ 1A, Швидкість: No Recovery Time > 500mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 0ns,

Список побажань
FR70GR02
GeneSiC Semiconductor

FR70GR02

частина: 7175

Тип діода: Standard, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Io): 70A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.4V @ 70A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 200ns,

Список побажань
FR30G02
GeneSiC Semiconductor

FR30G02

частина: 7099

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Io): 30A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1V @ 30A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 200ns,

Список побажань
S85JR
GeneSiC Semiconductor

S85JR

частина: 7155

Тип діода: Standard, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 85A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 85A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBR3545
GeneSiC Semiconductor

MBR3545

частина: 4428

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 45V, Струм - середній випрямлений (Io): 35A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 680mV @ 35A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
S300Y
GeneSiC Semiconductor

S300Y

частина: 1833

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1600V, Струм - середній випрямлений (Io): 300A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 300A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
S85J
GeneSiC Semiconductor

S85J

частина: 7670

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 85A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 85A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань