Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Діоди - Випрямлячі - Масиви

  • Додому
  •  
  • Діоди - Випрямлячі - Масиви
MBRT20040
GeneSiC Semiconductor

MBRT20040

частина: 1226

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 40V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 200A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 750mV @ 100A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MUR2X060A06
GeneSiC Semiconductor

MUR2X060A06

частина: 3244

Конфігурація діодів: 2 Independent, Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 120A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.5V @ 60A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBR40040CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR40040CTR

частина: 1155

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 40V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 400A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 650mV @ 100A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBR40045CTS
GeneSiC Semiconductor

MBR40045CTS

частина: 1365

Конфігурація діодів: 2 Independent, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 45V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 400A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 200A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
GB20SLT12-247D
GeneSiC Semiconductor

GB20SLT12-247D

частина: 5080

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1200V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 25A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.8V @ 10A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBR2X050A200
GeneSiC Semiconductor

MBR2X050A200

частина: 2947

Конфігурація діодів: 2 Independent, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 100A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 920mV @ 50A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
FST16035
GeneSiC Semiconductor

FST16035

частина: 1345

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 35V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 160A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 750mV @ 160A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBR2X120A045
GeneSiC Semiconductor

MBR2X120A045

частина: 2710

Конфігурація діодів: 2 Independent, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 45V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 240A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 700mV @ 120A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBRT30040R
GeneSiC Semiconductor

MBRT30040R

частина: 1073

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Schottky, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 40V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 300A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 750mV @ 150A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBR2X030A045
GeneSiC Semiconductor

MBR2X030A045

частина: 3701

Конфігурація діодів: 2 Independent, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 45V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 60A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 700mV @ 30A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MUR2X060A04
GeneSiC Semiconductor

MUR2X060A04

частина: 3385

Конфігурація діодів: 2 Independent, Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 120A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 60A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBR2X080A045
GeneSiC Semiconductor

MBR2X080A045

частина: 3289

Конфігурація діодів: 2 Independent, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 45V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 160A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 700mV @ 80A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBR2X030A100
GeneSiC Semiconductor

MBR2X030A100

частина: 3572

Конфігурація діодів: 2 Independent, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 100V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 60A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 840mV @ 30A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MUR2X060A02
GeneSiC Semiconductor

MUR2X060A02

частина: 3221

Конфігурація діодів: 2 Independent, Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 120A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1V @ 60A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBR30035CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR30035CTR

частина: 1234

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Schottky, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 35V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 300A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 700mV @ 150A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBRT600200R
GeneSiC Semiconductor

MBRT600200R

частина: 820

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 300A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 920mV @ 300A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBRT400100
GeneSiC Semiconductor

MBRT400100

частина: 1123

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 100V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 400A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 880mV @ 200A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBR2X080A100
GeneSiC Semiconductor

MBR2X080A100

частина: 3337

Конфігурація діодів: 2 Independent, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 100V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 160A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 840mV @ 80A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MUR2X030A06
GeneSiC Semiconductor

MUR2X030A06

частина: 3768

Конфігурація діодів: 2 Independent, Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 60A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.5V @ 30A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBR400100CT
GeneSiC Semiconductor

MBR400100CT

частина: 1403

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 100V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 400A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 840mV @ 200A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MSRTA600140(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRTA600140(A)

частина: 673

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1400V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 600A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 600A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MSRTA6001R
GeneSiC Semiconductor

MSRTA6001R

частина: 750

Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1600V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 600A (DC), Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MSRTA60060(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRTA60060(A)

частина: 682

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 600A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 600A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MSRTA600100(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRTA600100(A)

частина: 691

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1000V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 600A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 600A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MSRTA60080(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRTA60080(A)

частина: 753

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 800V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 600A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 600A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBRT40045DL
GeneSiC Semiconductor

MBRT40045DL

частина: 877

Конфігурація діодів: 1 Pair Series Connection, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 45V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 200A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 580mV @ 200A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MSRTA600120(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRTA600120(A)

частина: 675

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1200V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 600A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 600A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MSRTA6001
GeneSiC Semiconductor

MSRTA6001

частина: 665

Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1600V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 600A (DC), Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
GB10SLT12-247D
GeneSiC Semiconductor

GB10SLT12-247D

частина: 8816

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Silicon Carbide Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1200V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 12A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.9V @ 5A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBRF120200
GeneSiC Semiconductor

MBRF120200

частина: 4536

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 60A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 920mV @ 60A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MURF30020
GeneSiC Semiconductor

MURF30020

частина: 4527

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 150A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1V @ 150A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBR30030CTRL
GeneSiC Semiconductor

MBR30030CTRL

частина: 4504

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 30V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 150A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 580mV @ 150A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBR30020CTL
GeneSiC Semiconductor

MBR30020CTL

частина: 4475

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 20V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 150A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 580mV @ 150A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBRF12030
GeneSiC Semiconductor

MBRF12030

частина: 4508

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 30V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 60A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 700mV @ 60A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBRF30020
GeneSiC Semiconductor

MBRF30020

частина: 4526

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 20V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 150A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 700mV @ 150A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBRT40040RL
GeneSiC Semiconductor

MBRT40040RL

частина: 4486

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 40V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 200A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 600mV @ 200A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань