Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Діоди - Випрямлячі - Масиви

  • Додому
  •  
  • Діоди - Випрямлячі - Масиви
MBR20040CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR20040CTR

частина: 1522

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 40V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 200A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 650mV @ 100A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBRT600100
GeneSiC Semiconductor

MBRT600100

частина: 943

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 100V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 600A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 880mV @ 300A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBRT500150
GeneSiC Semiconductor

MBRT500150

частина: 1136

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 150V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 250A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 880mV @ 250A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBR60045CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR60045CTR

частина: 809

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 45V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 300A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 750mV @ 300A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBR2X060A150
GeneSiC Semiconductor

MBR2X060A150

частина: 3665

Конфігурація діодів: 2 Independent, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 150V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 60A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 880mV @ 60A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBR50035CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR50035CTR

частина: 1190

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 35V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 500A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 750mV @ 250A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MURTA20060
GeneSiC Semiconductor

MURTA20060

частина: 945

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 100A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 100A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBR2X120A180
GeneSiC Semiconductor

MBR2X120A180

частина: 3068

Конфігурація діодів: 2 Independent, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 180V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 120A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 920mV @ 120A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBR2X080A120
GeneSiC Semiconductor

MBR2X080A120

частина: 3870

Конфігурація діодів: 2 Independent, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 120V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 80A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 880mV @ 80A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MUR20060CTR
GeneSiC Semiconductor

MUR20060CTR

частина: 1240

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 200A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 50A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBR2X100A080
GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A080

частина: 3284

Конфігурація діодів: 2 Independent, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 80V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 100A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 840mV @ 100A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBR2X080A080
GeneSiC Semiconductor

MBR2X080A080

частина: 4139

Конфігурація діодів: 2 Independent, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 80V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 80A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 840mV @ 80A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBR2X050A060
GeneSiC Semiconductor

MBR2X050A060

частина: 3894

Конфігурація діодів: 2 Independent, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 60V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 50A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 750mV @ 50A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBRT120150
GeneSiC Semiconductor

MBRT120150

частина: 1838

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 150V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 60A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 880mV @ 60A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBRT20060R
GeneSiC Semiconductor

MBRT20060R

частина: 1368

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 60V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 200A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 800mV @ 100A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBRT30060R
GeneSiC Semiconductor

MBRT30060R

частина: 1244

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 60V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 300A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 800mV @ 150A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBR12080CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR12080CTR

частина: 1544

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 80V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 120A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 840mV @ 60A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
FST16060
GeneSiC Semiconductor

FST16060

частина: 1480

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 60V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 160A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 800mV @ 160A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MURTA60060
GeneSiC Semiconductor

MURTA60060

частина: 1000

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 600A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 300A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MURT30020
GeneSiC Semiconductor

MURT30020

частина: 1086

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 300A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 150A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MSRT10080(A)D
GeneSiC Semiconductor

MSRT10080(A)D

частина: 1907

Конфігурація діодів: 1 Pair Series Connection, Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 800V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 100A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 100A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBR120200CT
GeneSiC Semiconductor

MBR120200CT

частина: 1554

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 60A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 920mV @ 60A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBRT60040
GeneSiC Semiconductor

MBRT60040

частина: 956

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 40V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 600A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 750mV @ 300A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBR12040CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR12040CTR

частина: 1504

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 40V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 120A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 650mV @ 120A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBRT12060R
GeneSiC Semiconductor

MBRT12060R

частина: 1881

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 60V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 120A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 800mV @ 60A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBRT40060R
GeneSiC Semiconductor

MBRT40060R

частина: 1366

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 60V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 400A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 800mV @ 200A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBR40045CT
GeneSiC Semiconductor

MBR40045CT

частина: 1238

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 45V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 400A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 650mV @ 200A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBR50080CT
GeneSiC Semiconductor

MBR50080CT

частина: 1182

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 80V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 500A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 880mV @ 250A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MURT30060R
GeneSiC Semiconductor

MURT30060R

частина: 1172

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 300A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 150A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
FST10045
GeneSiC Semiconductor

FST10045

частина: 1532

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 45V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 100A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 650mV @ 100A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBRT40035
GeneSiC Semiconductor

MBRT40035

частина: 1119

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 35V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 400A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 750mV @ 200A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MUR20020CTR
GeneSiC Semiconductor

MUR20020CTR

частина: 1203

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 200A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 100A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MUR2X060A12
GeneSiC Semiconductor

MUR2X060A12

частина: 2901

Конфігурація діодів: 2 Independent, Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1200V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 60A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 2.35V @ 60A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MURTA400120R
GeneSiC Semiconductor

MURTA400120R

частина: 958

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1200V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 200A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 2.6V @ 200A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBR20040CT
GeneSiC Semiconductor

MBR20040CT

частина: 1562

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 40V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 200A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 650mV @ 100A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBR30040CT
GeneSiC Semiconductor

MBR30040CT

частина: 1442

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 40V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 300A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 650mV @ 150A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань