Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Діоди - Випрямлячі - Масиви

  • Додому
  •  
  • Діоди - Випрямлячі - Масиви
MBR2X060A120
GeneSiC Semiconductor

MBR2X060A120

частина: 3792

Конфігурація діодів: 2 Independent, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 120V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 60A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 880mV @ 60A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
FST10040
GeneSiC Semiconductor

FST10040

частина: 1576

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 40V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 100A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 650mV @ 100A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MURTA30020R
GeneSiC Semiconductor

MURTA30020R

частина: 933

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 150A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1V @ 150A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
FST100150
GeneSiC Semiconductor

FST100150

частина: 1653

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 150V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 50A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 880mV @ 50A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBR60020CT
GeneSiC Semiconductor

MBR60020CT

частина: 970

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 20V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 300A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 750mV @ 300A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBRT40030
GeneSiC Semiconductor

MBRT40030

частина: 1396

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 30V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 400A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 750mV @ 200A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBR30045CT
GeneSiC Semiconductor

MBR30045CT

частина: 1411

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 45V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 300A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 650mV @ 150A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MUR20040CT
GeneSiC Semiconductor

MUR20040CT

частина: 1223

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 200A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 50A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBRT50020
GeneSiC Semiconductor

MBRT50020

частина: 1075

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 20V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 500A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 750mV @ 250A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MUR2X120A04
GeneSiC Semiconductor

MUR2X120A04

частина: 3090

Конфігурація діодів: 2 Independent, Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 120A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 120A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MUR40020CTR
GeneSiC Semiconductor

MUR40020CTR

частина: 1219

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 400A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 125A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MSRT100120(A)D
GeneSiC Semiconductor

MSRT100120(A)D

частина: 1932

Конфігурація діодів: 1 Pair Series Connection, Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1200V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 100A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 100A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBRT300200
GeneSiC Semiconductor

MBRT300200

частина: 1527

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 150A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 920mV @ 150A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBR2X060A100
GeneSiC Semiconductor

MBR2X060A100

частина: 3980

Конфігурація діодів: 2 Independent, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 100V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 60A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 840mV @ 60A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBR50060CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR50060CTR

частина: 1169

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Schottky, Reverse Polarity, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 500A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 800mV @ 250A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MSRT20080(A)D
GeneSiC Semiconductor

MSRT20080(A)D

частина: 1406

Конфігурація діодів: 1 Pair Series Connection, Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 800V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 200A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 200A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MURT30005R
GeneSiC Semiconductor

MURT30005R

частина: 1110

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 50V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 300A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 150A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
FST10080
GeneSiC Semiconductor

FST10080

частина: 1594

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 80V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 100A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 840mV @ 100A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBR20030CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR20030CTR

частина: 1551

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 30V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 200A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 650mV @ 100A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBR60030CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR60030CTR

частина: 939

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 30V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 300A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 750mV @ 300A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBRT500200
GeneSiC Semiconductor

MBRT500200

частина: 1086

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 250A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 920mV @ 250A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
FST16040
GeneSiC Semiconductor

FST16040

частина: 1522

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 40V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 160A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 750mV @ 160A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBR30060CT
GeneSiC Semiconductor

MBR30060CT

частина: 1418

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 60V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 300A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 750mV @ 150A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBR400200CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR400200CTR

частина: 1590

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 200A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 920mV @ 200A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBRT12035R
GeneSiC Semiconductor

MBRT12035R

частина: 1858

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 35V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 120A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 750mV @ 60A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBRT400200R
GeneSiC Semiconductor

MBRT400200R

частина: 3118

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 200A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 920mV @ 200A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBRT30045R
GeneSiC Semiconductor

MBRT30045R

частина: 1299

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 45V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 300A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 750mV @ 150A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MUR30010CT
GeneSiC Semiconductor

MUR30010CT

частина: 1376

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 100V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 300A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 100A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBRT200100
GeneSiC Semiconductor

MBRT200100

частина: 1466

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 100V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 200A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 880mV @ 100A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBR40030CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR40030CTR

частина: 1565

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 30V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 400A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 650mV @ 200A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBR12035CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR12035CTR

частина: 1550

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 35V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 120A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 650mV @ 120A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MUR10060CTR
GeneSiC Semiconductor

MUR10060CTR

частина: 1583

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 100A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 50A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBR40030CT
GeneSiC Semiconductor

MBR40030CT

частина: 1519

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 30V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 400A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 650mV @ 200A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBR12040CT
GeneSiC Semiconductor

MBR12040CT

частина: 1537

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 40V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 120A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 650mV @ 120A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBRT12080
GeneSiC Semiconductor

MBRT12080

частина: 1821

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 80V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 120A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 880mV @ 60A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MBRT20080R
GeneSiC Semiconductor

MBRT20080R

частина: 1417

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Anode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 80V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 200A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 880mV @ 100A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань